[发明专利]图像传感器

权利要求书

1.一种图像传感器，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底具有第一导电类型；

光电转换区域，所述光电转换区域在所述半导体衬底中并且具有第二导电类型；

氧化物半导体图案，所述氧化物半导体图案与所述半导体衬底的第一表面相邻；以及

传输门，所述传输门在所述第一表面上并且与所述光电转换区域和所述氧化物半导体图案相邻。

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述传输门被配置为响应于施加到所述传输门的信号，向所述氧化物半导体图案提供所述光电转换区域中的电荷。

3.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述氧化物半导体图案设置在所述半导体衬底中的凹部中，所述凹部从所述半导体衬底的所述第一表面凹进。

4.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述氧化物半导体图案包括铟In、镓Ga和锌Zn。

5.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述氧化物半导体图案的顶表面与所述半导体衬底的所述第一表面共面。

6.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括：复位门，所述复位门在所述氧化物半导体图案的顶表面上。

7.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括：

第一接触插塞，所述第一接触插塞耦接到所述氧化物半导体图案的一端；以及

第二接触插塞，所述第二接触插塞耦接到所述氧化物半导体图案的另一端。

8.根据权利要求1所述的图像传感器，其中

所述传输门的下部被埋入所述半导体衬底内，并且

所述氧化物半导体图案沿所述传输门的下部并朝所述光电转换区域延伸。

9.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述氧化物半导体图案包括：

第一部分，接触插头耦接到所述第一部分；以及

第二部分，所述第二部分从所述第一部分延伸并且在所述传输门的底表面下方向下延伸，

其中所述第二部分的第二最下表面位于比所述第一部分的第一最下表面的高度低的高度。

10.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述氧化物半导体图案延伸到所述光电转换区域中。

11.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括：

第一器件隔离图案，所述第一器件隔离图案在所述第一表面和所述半导体衬底的第二表面之间，所述第一器件隔离图案限定像素；以及

第二器件隔离图案，所述第二器件隔离图案设置在所述像素中，并且所述第二器件隔离图案的深度小于第一器件隔离图案的深度，

其中所述氧化物半导体图案的一个侧表面与所述第二器件隔离图案接触。

12.一种图像传感器，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底具有第一表面以及与所述第一表面面对的第二表面；

第一器件隔离图案，所述第一器件隔离图案在所述第一表面和所述第二表面之间，所述第一器件隔离图案限定像素；

氧化物半导体图案，所述氧化物半导体图案在所述像素中并且与所述第一表面相邻；以及

传输门，所述传输门在所述氧化物半导体图案和所述第一器件隔离图案之间。

13.根据权利要求12所述的图像传感器，其中所述氧化物半导体图案设置在凹部中，所述凹部从所述半导体衬底的所述第一表面朝所述第二表面凹进。

14.根据权利要求12所述的图像传感器，还包括：第二器件隔离图案，所述第二器件隔离图案在所述第一器件隔离图案和所述氧化物半导体图案之间，所述第二器件隔离图案的深度小于所述第一器件隔离图案的深度，

其中所述氧化物半导体图案的一个侧表面与所述第二器件隔离图案接触。