[发明专利]发光装置

说明书

一种发光装置，包括多个第一发光单元，所述第一发光单元发射一第一光线。各个第一发光单元包括一光源、一光调节结构和一光转换结构，其中第一光线由光源提供，由光调节结构调整并由光转换结构转换。第一光线具有位于400纳米至500纳米之间的一子波峰以及位于590纳米至780纳米之间的一主波峰，且子波峰的一法线强度大于子波峰的一斜向强度。

技术领域

本发明涉及一种发光装置，特别是涉及一种包括光调节结构的发光装置。

背景技术

在传统的发光装置中，入射光可能会照射到相邻的发光单元并影响这些发光单元，使得发光质量(或显示质量)可能会下降。因此，本发明提出了一种能减少上述问题的发光装置。

发明内容

在某些实施例中，一种发光装置，包括多个第一发光单元，所述第一发光单元发射一第一光线。各个第一发光单元包括一光源、一光调节结构和一光转换结构，其中第一光线由光源提供、由光调节结构调整并由光转换结构转换。第一光线具有位于400纳米至500纳米之间的一子波峰以及位于590纳米至780纳米之间的一主波峰，且子波峰的一法线强度大于子波峰的一斜向强度。

在某些实施例中，一种发光装置，包括多个发光单元，所述发光单元发射一光线。各个发光单元包括一光源、一光调节结构和一光转换结构，其中光线由光源提供、由光调节结构调整并由光转换结构转换。所述光线具有位于400纳米至500纳米之间的一子波峰以及位于520纳米至589纳米之间的一主波峰，且子波峰的一法线强度大于子波峰的一斜向强度。

附图说明

图1所示为本发明第一实施例的发光装置的剖视示意图。

图2所示为由发光单元所发射的光的光分布示意图。

图3A所示为沿法线方向测量由第一发光单元所发射的第一光线的光谱的示意图。

图3B所示为沿倾斜方向测量由第一发光单元所发射的第一光线的光谱的示意图。

图4A所示为沿法线方向测量由第一发光单元所发射的第一光线和由第二发光单元所发射的第二光线的光谱的示意图。

图4B所示为沿倾斜方向测量由第一发光单元所发射的第一光线和由第二发光单元所发射的第二光线的光谱的示意图。

图5所示为本发明第二实施例的光调节结构的剖视示意图。

图6所示为本发明第三实施例的光调节结构的剖视示意图。

图7所示为本发明第四实施例的光调节结构的剖视示意图。

图8所示为本发明第五实施例的发光装置的剖视示意图。

图9所示为本发明第六实施例的发光装置的剖视示意图。