[发明专利]发光装置有效
申请号: | 201911121531.5 | 申请日: | 2019-11-15 |
公开(公告)号: | CN111396767B | 公开(公告)日: | 2023-04-14 |
发明(设计)人: | 林小郎;蔡宗翰 | 申请(专利权)人: | 群创光电股份有限公司 |
主分类号: | F21S2/00 | 分类号: | F21S2/00;F21V9/40;F21V14/00;F21V9/30;F21V5/02;F21V7/22;F21V5/04 |
代理公司: | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人: | 侯奇慧 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 装置 | ||
1.一种发光装置,其特征在于,包括:
多个第一发光单元,所述多个第一发光单元发射一第一出射光,所述多个第一发光单元中的每一个第一发光单元包括一光源、一光调节结构和一光转换结构,其中所述第一出射光由所述光源提供、由所述光调节结构调整并由所述光转换结构转换;以及
多个第二发光单元,所述多个第二发光单元发射一第二出射光,所述多个第二发光单元中的每一个第二发光单元包括另一光源、另一光调节结构和另一光转换结构,其中所述第二出射光由所述另一光源提供、由所述另一光调节结构调整并由所述另一光转换结构转换,
其中所述第一出射光具有位于400纳米至500纳米之间的一子波峰以及位于590纳米至780纳米之间的一主波峰,且所述第一出射光的所述子波峰的一法线强度大于所述第一出射光的所述子波峰的一斜向强度,所述第二出射光具有位于400纳米至500纳米之间的一子波峰以及位于520纳米至589纳米之间的一主波峰,且所述第一出射光的所述子波峰的所述法线强度小于所述第二出射光的所述子波峰的一法线强度,
其中所述法线强度是沿着一法线方向测量而得,所述斜向强度是沿着一倾斜方向测量而得,且所述法线方向不同于所述倾斜方向。
2.如权利要求1所述的发光装置,其特征在于,当以所述发光装置的所述法线方向为基准的一倾斜角增加时,所述第一出射光的所述子波峰的所述斜向强度会减小。
3.如权利要求1所述的发光装置,其特征在于,所述第一出射光的所述子波峰的所述斜向强度对所述第一出射光的所述子波峰的所述法线强度的一比值的范围为0.001至0.97。
4.如权利要求1所述的发光装置,其特征在于,所述第一出射光的所述子波峰的所述法线强度的范围为0.1%至10%。
5.如权利要求1所述的发光装置,其特征在于,所述第一出射光的所述子波峰的所述斜向强度的范围为0.01%至0.97%。
6.如权利要求1所述的发光装置,其特征在于,在同一倾斜角下,所述第一出射光的所述子波峰的所述斜向强度不同于所述第二出射光的所述子波峰的一斜向强度。
7.如权利要求1所述的发光装置,其特征在于,所述光调节结构是一透镜结构。
8.如权利要求1所述的发光装置,其特征在于,所述光调节结构包括一反射元件和设置在所述反射元件上的一倒棱镜片,且所述反射元件包括多个反射面。
9.如权利要求1所述的发光装置,其特征在于,所述光调节结构包括多个倒棱镜,所述光源包括至少一发光源,且所述至少一发光源设置在所述多个倒棱镜中的相邻的两个倒棱镜之间。
10.如权利要求1所述的发光装置,其特征在于,所述光调节结构包括一隔绝层和至少一反射面,且所述至少一反射面设置在所述隔绝层内。
11.如权利要求10所述的发光装置,其特征在于,所述反射面具有一锯齿结构或一直线结构。
12.如权利要求1所述的发光装置,其特征在于,所述光调节结构是连续的,且所述光调节结构设置在所述光源上。
13.如权利要求1所述的发光装置,其特征在于,所述光调节结构是非连续的,且所述光调节结构相邻所述光源设置。
14.如权利要求1所述的发光装置,其特征在于,还包括相邻所述光源设置的一墙,其中所述光调节结构设置在所述墙的至少一侧面上。
15.如权利要求1所述的发光装置,其特征在于,所述光转换结构包括多个量子点、一荧光材料或一磷光材料。
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