[发明专利]一种存储器以及包括该存储器的设备

权利要求书

1.一种存储器，包括：

至少两个管芯(D1-Dn)，每个管芯包括终端电阻(ODT1-ODTn)，所述至少两个管芯(D1-Dn)之间设置有通信路径；

其中，

所述至少两个管芯(D1-Dn)中的一个为目标管芯(T-D)，该目标管芯(T-D)的终端电阻为目标终端电阻(T-ODT)，其他为非目标管芯(NT-D)，该非目标管芯(NT-D)的终端电阻为非目标终端电阻(NT-ODT)，所述目标管芯(T-D)的工作模式包括读模式和写模式；

所述目标管芯(T-D)通过所述通信路径向所述非目标管芯(NT-D)发送脉冲信号，以将所述非目标管芯(NT-D)的非目标终端电阻(NT-ODT)设置为与所述读模式相匹配的第一电阻值或与所述写模式相匹配的第二电阻值。

2.根据权利要求1所述的存储器，其中，所述非目标管芯(NT-D)配置为，响应于从所述目标管芯(T-D)接收到所述脉冲信号，而将所述非目标终端电阻(NT-ODT)设置为与所述读模式相匹配的第一电阻值或与所述写模式相匹配的第二电阻值。

3.根据权利要求1或2所述的存储器，其中，

所述读模式包括读模式进入时点(Tr1)，读模式数据传输开始时点(Tr2)和读模式数据传输结束时点(Tr3)；

所述写模式包括写模式进入时点(Tw1)，写模式数据传输开始时点(Tw2)和写模式数据传输结束时点(Tw3)；以及

所述脉冲信号包括第一脉冲信号(P1)和第二脉冲信号(P2)。

4.根据权利要求3所述的存储器，其中，

所述第一脉冲信号(P1)在所述读模式进入时点(Tr1)之后，读模式数据传输开始时点(Tr2)之前发出，以使得所述非目标终端电阻(NT-ODT)在所述读模式的数据传输开始之前被设置为所述第一电阻值；

所述第二脉冲信号(P2)在所述读模式数据传输结束时点(Tr3)之后发出，以使得所述非目标终端电阻(NT-ODT)在所述读模式的数据传输结束之后被设置为第二电阻值。

5.根据权利要求3所述的存储器，其中，

所述第一脉冲信号(P1)在所述读模式进入时点(Tr1)之后，读模式数据传输开始时点(Tr2)之前发出，以使得所述非目标终端电阻(NT-ODT)在所述读模式的数据传输开始之前被设置为所述第一电阻值；

所述第二脉冲信号(P2)在所述写模式进入时点(Tw1)之后，写模式数据传输开始时点(Tw2)之前发出，以使得所述非目标终端电阻(NT-ODT)在所述写模式的数据传输开始之前被设置为第二电阻值。

6.根据权利要求3所述的存储器，其中，

所述第一脉冲信号(P1)在所述写模式进入时点(Tw1)之后，写模式数据传输开始时点(Tw2)之前发出，以使得所述非目标终端电阻(NT-ODT)在所述写模式的数据传输开始之前被设置为所述第二电阻值；

所述第二脉冲信号(P2)在所述写模式数据传输结束时点(Tw3)之后发出，以使得所述非目标终端电阻(NT-ODT)在所述写模式的数据传输开始之后被设置为第一电阻值。

7.根据权利要求1-6中任意一项所述的存储器，其中，所述目标终端电阻(T-ODT)的电阻值被设置为不低于所述非目标终端电阻(NT-ODT)的电阻值。

8.根据权利要求7所述的存储器，其中，所述目标终端电阻(T-ODT)被断开。

9.根据权利要求1-8中任意一项所述的存储器，其中，在所述读模式下，所述非目标终端电阻(NT-ODT)的第一电阻值被设置为不小于60ohm。

10.根据权利要求9所述的存储器，其中，在所述读模式下，所述非目标终端电阻(NT-ODT)被设置为断开。