[发明专利]一种阵列基板及其修复方法、显示装置在审
申请号: | 201911116223.3 | 申请日: | 2019-11-15 |
公开(公告)号: | CN110797354A | 公开(公告)日: | 2020-02-14 |
发明(设计)人: | 郑佩莎 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 44570 深圳紫藤知识产权代理有限公司 | 代理人: | 唐秀萍 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素结构 像素电极层 薄膜晶体管区 薄膜晶体管 像素区 延伸部 公共电极层 阵列基板 钝化层 产品良率 多个阵列 隔断位置 亮点缺陷 显示装置 依次层叠 镂空 隔断 漏极 排布 去除 成像 修复 申请 | ||
本申请提供了一种阵列基板及其修复方法、显示装置,该阵列基板包括多个阵列排布的像素结构区,每个像素结构区形成有像素结构,像素结构区包括相邻的薄膜晶体管区及像素区,像素结构包括依次层叠设置的公共电极层、薄膜晶体管、钝化层及像素电极层;其中,公共电极层包括本体部及延伸部,本体部形成于薄膜晶体管区,延伸部形成于像素区且与本体部隔断设置,薄膜晶体管形成于薄膜晶体管区,钝化层设有过孔,像素电极层形成于像素区并通过过孔与薄膜晶体管的漏极连接,像素电极层在与本体部和延伸部的隔断位置相应的位置形成有去除部,以使得像素电极层在相应的位置呈镂空设置,能够消除像素结构区的亮点缺陷,提高产品良率和成像质量。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,特别是涉及一种阵列基板及其修复方法、显示装置。
背景技术
随着信息设备的高速发展,人们对显示设备需求不断增加的同时也越来越注重品质,对显示高清度要求也越来越苛刻,如何有效提升显示屏良率已成为一个重要议题。
目前,针对显示面板的亮点缺陷问题,一般采用镭射的方式对像素进行暗点化修补处理,但是这种方式的修补失败率较高,且在大面积孔异常时,多次暗点化会导致面板报废,降低产品良率。
发明内容
本申请提供一种阵列基板及其修复方法、显示装置,能够消除像素结构区的亮点缺陷,提高产品良率和成像质量。
为解决上述技术问题,本申请采用的另一种技术方案是:提供一种一种阵列基板,所述阵列基板包括多个阵列排布的像素结构区,每个所述像素结构区形成有像素结构,所述像素结构区包括相邻的薄膜晶体管区及像素区,所述像素结构包括依次层叠设置的公共电极层、薄膜晶体管、钝化层及像素电极层;其中,所述公共电极层包括本体部及延伸部,所述本体部形成于所述薄膜晶体管区,所述延伸部形成于所述像素区且与所述本体部隔断设置,所述薄膜晶体管形成于所述薄膜晶体管区,所述钝化层设有过孔,所述像素电极层形成于所述像素区并通过所述过孔与所述薄膜晶体管的漏极连接,所述像素电极层在与所述本体部和所述延伸部的隔断位置相应的位置形成有去除部,以使得所述像素电极层在所述相应的位置呈镂空设置。
在一具体实施方式中,所述阵列基板包括衬底基板、形成于所述衬底基板上的多条数据线及与所述多条数据线交叉排布的多条扫描线,所述多条数据线与所述多条扫描线定义形成所述多个像素结构区。
在一具体实施方式中,所述薄膜晶体管的源极与所述数据线连接,所述薄膜晶体管的栅极与所述扫描线连接。
在一具体实施方式中,所述像素结构还包括缓冲层,所述缓冲层形成于所述衬底基板上且覆盖所述公共电极层,所述薄膜晶体管形成于所述缓冲层上。
在一具体实施方式中,所述延伸部的数量为多个,所述多个延伸部与所述本体部隔断设置。
为解决上述技术问题,本申请采用的另一种技术方案是:提供一种阵列基板的修复方法,所述修复方法包括:提供一阵列基板,所述阵列基板包括多个阵列排布的像素结构区,每个所述像素结构区形成有像素结构,所述像素结构区包括相邻的薄膜晶体管区及像素区,所述像素结构包括依次层叠设置的公共电极层、薄膜晶体管、钝化层及像素电极层,所述公共电极层包括一体设置的本体部及延伸部,所述本体部形成于所述薄膜晶体管区,所述延伸部形成于所述像素区,所述薄膜晶体管形成于所述薄膜晶体管区,所述钝化层包括过孔位置,所述像素电极层形成于所述像素区;检测所述过孔位置是否发生异常;若所述过孔位置发生异常,则切断所述本体部及所述延伸部,以使得所述本体部与所述延伸部呈隔断设置;去除所述像素电极层与所述本体部和所述延伸部的隔断位置相应的位置,以使得所述像素电极层在所述相应的位置呈镂空设置。
在一具体实施方式中,所述检测所述过孔位置是否发生异常的步骤包括:获取所述像素结构区的电压值;判断所述电压值是否在预设电压范围内,以确定在所述过孔位置是否形成尺寸大于或等于阈值的过孔;若是,则检测所述过孔是否存在黑点。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的