[发明专利]一种阵列基板及其修复方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括多个阵列排布的像素结构区，每个所述像素结构区形成有像素结构，所述像素结构区包括相邻的薄膜晶体管区及像素区，所述像素结构包括依次层叠设置的公共电极层、薄膜晶体管、钝化层及像素电极层；

其中，所述公共电极层包括本体部及延伸部，所述本体部形成于所述薄膜晶体管区，所述延伸部形成于所述像素区且与所述本体部隔断设置，所述薄膜晶体管形成于所述薄膜晶体管区，所述钝化层设有过孔，所述像素电极层形成于所述像素区并通过所述过孔与所述薄膜晶体管的漏极连接，所述像素电极层在与所述本体部和所述延伸部的隔断位置相应的位置形成有去除部，以使得所述像素电极层在所述相应的位置呈镂空设置。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括衬底基板、形成于所述衬底基板上的多条数据线及与所述多条数据线交叉排布的多条扫描线，所述多条数据线与所述多条扫描线定义形成所述多个像素结构区。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管的源极与所述数据线连接，所述薄膜晶体管的栅极与所述扫描线连接。

4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述像素结构还包括缓冲层，所述缓冲层形成于所述衬底基板上且覆盖所述公共电极层，所述薄膜晶体管形成于所述缓冲层上。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述延伸部的数量为多个，所述多个延伸部与所述本体部隔断设置。

6.一种阵列基板的修复方法，其特征在于，所述修复方法包括：

提供一阵列基板，所述阵列基板包括多个阵列排布的像素结构区，每个所述像素结构区形成有像素结构，所述像素结构区包括相邻的薄膜晶体管区及像素区，所述像素结构包括依次层叠设置的公共电极层、薄膜晶体管、钝化层及像素电极层，所述公共电极层包括一体设置的本体部及延伸部，所述本体部形成于所述薄膜晶体管区，所述延伸部形成于所述像素区，所述薄膜晶体管形成于所述薄膜晶体管区，所述钝化层包括过孔位置，所述像素电极层形成于所述像素区；

检测所述过孔位置是否发生异常；

若所述过孔位置发生异常，则切断所述本体部及所述延伸部，以使得所述本体部与所述延伸部呈隔断设置；

去除所述像素电极层与所述本体部和所述延伸部的隔断位置相应的位置，以使得所述像素电极层在所述相应的位置呈镂空设置。

7.根据权利要去6所述的修复方法，其特征在于，所述检测所述过孔位置是否发生异常的步骤包括：

获取所述像素结构区的电压值；

判断所述电压值是否在预设电压范围内，以确定在所述过孔位置是否形成尺寸大于或等于阈值的过孔；

若是，则检测所述过孔是否存在黑点。

8.根据权利要去7所述的修复方法，其特征在于，所述切断所述本体部及所述延伸部，以使得所述本体部与所述延伸部呈隔断设置的步骤之前还包括：

若所述电压值不在预设电压范围内，则在所述过孔位置形成大于或等于所述阈值的过孔，并填充所述过孔，以使得所述像素电极层通过所述过孔与所述薄膜晶体管的漏极连接。

9.根据权利要去7所述的修复方法，其特征在于，所述预设电压范围为10V-20V。

10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求1-5中任一项所述的阵列基板。