[发明专利]成膜装置、成膜方法、及电子器件的制造方法

说明书

本发明提供一种即使在具有不均匀的压力分布的腔室内一边使溅射区域移动一边进行溅射的情况下也能抑制溅射的品质下降的技术。使用的成膜装置具有：在内部配置有成膜对象物及靶的腔室、以及使从靶产生溅射粒子的溅射区域在腔室内移动的移动机构，通过移动机构使溅射区域移动并使溅射粒子堆积于成膜对象物而进行成膜，其中，移动机构根据溅射区域附近的压力，使溅射区域与成膜对象物之间的距离变化。

技术领域

本发明涉及成膜装置、成膜方法、及电子器件的制造方法。

背景技术

作为对基板或形成在基板上的层叠体等成膜对象物形成由金属或金属氧化物等材料构成的薄膜的方法，溅射法广为周知。通过溅射法进行成膜的成膜装置具有在真空腔室内使由成膜材料构成的靶与成膜对象物相向配置的结构。如果向靶施加电压，则在靶的附近产生等离子体，通过电离的非活性气体元素与靶表面发生碰撞而从靶表面放出溅射粒子，放出的溅射粒子堆积于成膜对象物而成膜。另外，也已知有在靶的背面(在圆筒形的靶的情况下为靶的内侧)配置磁铁，通过产生的磁场来提高阴极附近的电子密度而高效地进行溅射的磁控溅射法。

作为以往的这种成膜装置，例如，已知有专利文献1记载的结构。专利文献1的成膜装置使靶相对于成膜对象物的成膜面平行移动而成膜。

【在先技术文献】

【专利文献】

【专利文献1】日本特开2015-172240号公报

【发明要解决的课题】

在此，存在成膜装置的腔室内的压力不均匀的情况。即，存在导入溅射气体的气体导入口的附近的压力高而与真空泵连接的排气口的附近的压力低这样腔室内的压力分布成为不均匀的情况。当如专利文献1那样在腔室内一边使阴极移动一边进行溅射时，从靶的表面放出溅射粒子的溅射区域也相对于腔室进行移动。因此，当如上所述在腔室内的压力分布不均匀的条件下一边使溅射区域移动一边进行溅射时，溅射区域的周边的压力在溅射过程之间变化。溅射粒子的平均自由行程与压力成反比，在分子密度低而压力低的区域中溅射粒子的平均自由行程长，在分子密度高而压力高的区域中溅射粒子的平均自由行程短，因此如果压力不同，则成膜率变化。其结果是，可能会产生例如膜厚或膜质不均等成膜的品质下降。然而，专利文献1未记载与腔室内的溅射气体的压力分布相应的成膜的控制。

发明内容

本发明鉴于上述课题而作出，其目的在于提供一种即使在具有不均匀的压力分布的腔室内一边使溅射区域移动一边进行溅射的情况下，也能抑制溅射的品质下降的技术。

【用于解决课题的方案】

本发明采用以下的结构。即，

一种成膜装置，所述成膜装置具有：

腔室，所述腔室在内部配置有成膜对象物及靶；及

移动机构，所述移动机构使从所述靶产生溅射粒子的溅射区域在所述腔室内移动，

通过所述移动机构使所述溅射区域移动并使所述溅射粒子堆积于所述成膜对象物而进行成膜，所述成膜装置的特征在于，

所述移动机构根据所述溅射区域附近的压力，使所述溅射区域与所述成膜对象物之间的距离变化。

本发明还采用以下的结构。即，

一种成膜装置，所述成膜装置具有：

腔室，所述腔室在内部配置有成膜对象物及靶，并具备将气体从所述腔室排出的排气口；及

移动机构，所述移动机构使从所述靶产生溅射粒子的溅射区域在所述腔室内移动，

通过所述移动机构使所述溅射区域移动并使所述溅射粒子堆积于所述成膜对象物而进行成膜，所述成膜装置的特征在于，