[发明专利]测试光掩模的设备和方法在审
申请号: | 201911114612.2 | 申请日: | 2019-11-14 |
公开(公告)号: | CN112415848A | 公开(公告)日: | 2021-02-26 |
发明(设计)人: | 金锡珠;俞周亨 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G03F1/84 | 分类号: | G03F1/84 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 许伟群;郭放 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 测试 光掩模 设备 方法 | ||
本发明公开了测试光掩模的设备和方法。一种用于测试光掩模的设备可以包括装载块、驱动块和控制块。装载块可以被配置为容纳光掩模盒,所述光掩模盒被配置为容纳光掩模。驱动块可以被布置在装载块下方以提升装载块和使转载块旋转。控制块可以被配置为控制装载块和驱动块的操作。装载块可以包括底表面、顶表面和多个视觉相机。底表面可以被配置为支撑光掩模盒。顶表面可以面向底表面。视觉相机可以被安装在顶表面处以拍摄光掩模的边缘部分。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年8月22日在韩国知识产权局提交的No.10-2019-0103092的韩国专利申请的优先权,其全部内容通过引用合并于此。
技术领域
各种实施例通常可以涉及半导体制造技术,更具体地涉及测试光掩模的设备和方法。
背景技术
通常,可以通过光刻过程来形成半导体器件中的图案。光刻过程可以包括抗蚀剂涂覆过程、曝光过程、显影过程和固化过程。
用于限定特定图案的光掩模可以被用在曝光过程中。可以将光掩模容纳在被称为掩模卡匣(pod)的光掩模盒中。光掩模盒可以被储存并转移到曝光设备中。
然而,光掩模盒可以包括不透明的材料。当将具有光掩模的光掩模盒装载到曝光设备中时,可能难以将光掩模的前表面和后表面彼此区分开。
发明内容
示例实施例提供了能够容易地将光掩模的前表面和后表面彼此区分开的测试光掩模的设备和方法。
在本公开的示例实施例中,一种用于测试光掩模的设备可以包括装载块、驱动块和控制块。装载块可以被配置为容纳光掩模盒,该光掩模盒被配置为容纳光掩模。驱动块可以被布置在装载块下方以提升转载块和使装载块旋转。控制块可以被配置为控制装载块和驱动块的操作。装载块可以包括底表面、顶表面和多个视觉相机。底表面可以被配置为支撑光掩模盒。顶表面可以面向底表面。视觉照相机可以被安装在顶表面处以拍摄光掩模的边缘部分。
在本公开的示例实施例中,根据测试光掩模的方法,装载具有光掩模的光掩模盒。打开光掩模盒的盖。使用多个视觉相机来拍摄通过被打开的盖而暴露的光掩模的边缘部分。当在光掩模的边缘部分处存在倒角(chamfer)时,可以停止后续过程。相反,当在光掩模的边缘部分处不存在倒角时,可以进行后续过程。
根据示例实施例,视觉相机可以被提供给测试设备。因此,在将光掩模盒转移到曝光设备之前,可以检查光掩模是否可以正常地容纳在光掩模盒中。因此,可以预先防止曝光过程的故障。
附图说明
根据组合附图进行的以下详细描述,将更清楚地理解本公开的主题的上述和另一个方面、特征和优点,其中:
图1是示出根据示例实施例的半导体制造系统的框图。
图2是示出根据示例实施例的光掩模盒的透视图;
图3是示出根据示例实施例的测试设备的截面图;
图4是示出根据示例实施例的装载块的透视图;
图5和图6是示出根据示例实施例的装载块的视觉相机的剖视图;
图7是示出根据示例实施例的照明器的平面图;
图8是沿图7中的线VII-VII’截取的截面图;
图9是示出根据示例实施例的光掩模的平面图;
图10是示出根据示例实施例的光掩模的底视图;以及
图11是示出根据示例实施例的测试光掩模的方法的流程图。
具体实施方式
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司,未经爱思开海力士有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911114612.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备