[发明专利]一种高阻隔VMPET薄膜及其制备方法

说明书

本发明公开了一种高阻隔VMPET薄膜及其制备方法，所述VMPET薄膜包括PET基膜和涂覆于所述PET基膜上的镀铝层，所述PET基膜包括由上至下依次设置的电晕处理层、芯层和共混改性层。本发明应用PEN共混改性后的PET基膜，提高了基膜本身的阻隔性，使其阻隔性的提高不受镀铝层性能的影响。

技术领域

本发明涉及薄膜加工技术领域，具体涉及一种高阻隔VMPET薄膜及其制备方法。

背景技术

高阻隔VMPET镀铝膜属于新材料应用领域，是一种具有高阻隔性能的包装材料，被广泛应用于食品、饮料、医药、化妆品等的复合包装上。它是PET基膜在真空条件下，应用镀铝工艺，在其表面设置一层铝层而形成的，具有良好的金属光泽，抗静电性和遮光性，尤其具有较好的阻气、阻湿性，其阻隔性比未镀铝前提高了几十倍甚至上百倍。

目前市场上通常用提高铝层厚度来提高阻隔性，但是在实际中发现，阻隔性并非和铝层厚度成正比，当铝层厚度增加时，铝层的致密性、铝层附着力会降低，铝层微气孔增加，导致阻隔性降低。而且其阻隔性会随着储存时间发生一定的衰减。

基于上述情况，本发明提出了一种新型一种高阻隔VMPET薄膜及其制备方法，可有效解决以上问题。

发明内容

针对现有技术的状况，为克服以上缺陷，本发明应用PEN共混改性后的PET基膜，提高了基膜本身的阻隔性，使其阻隔性的提高不受镀铝层性能的影响。

本发明通过下述技术方案实现：

一种高阻隔VMPET薄膜，所述VMPET薄膜包括PET基膜和涂覆于所述PET基膜上的镀铝层，所述PET基膜包括由上至下依次设置的电晕处理层、芯层和共混改性层；该VMPET薄膜的制备方法包括以下步骤：

A、将电晕处理层、芯层和共混改性层三层原料通过三层挤出机挤出，然后双向拉伸得到三层结构的PET基膜；

B、在真空状态下，将铝金属加热熔融至蒸发，铝原子凝结在PET基膜的电晕处理层表面，形成一层镀铝层，然后收卷得到。

根据上述技术方案，作为上述技术方案的进一步优选技术方案，所述电晕处理层和芯层均为PET聚酯切片。

根据上述技术方案，作为上述技术方案的进一步优选技术方案，所述共混改性层为PET聚酯切片和PEN组成。

根据上述技术方案，作为上述技术方案的进一步优选技术方案，所述镀铝层的厚度为450埃。

根据上述技术方案，作为上述技术方案的进一步优选技术方案，步骤B中的真空度为10^-4mbar。

根据上述技术方案，作为上述技术方案的进一步优选技术方案，所述电晕处理层、芯层和共混改性层分别占PET基膜的厚度比例为：10％～20％、60％～80％和10％～20％。

本发明与现有技术相比，具有以下优点及有益效果：

1、本发明从基膜本身提高镀铝膜的阻隔性，而不是从镀铝工艺出发，降低了镀铝层致密性等因素对提高阻隔性的影响，很大程度上解决了阻隔性随时间衰退的现象。

2、PEN分子结构中的萘环比PET中的苯环具有更大的共轭双键，与PET共混改性后，电晕面镀铝后得到的改性VMPET薄膜，比普通的VMPET薄膜具有更高的阻隔性。

3、可通过调整PEN的含量，以得到拥有不同程度阻隔性能的VMPET薄膜。

附图说明

图1为本发明的截面结构示意图。

附图标记：1-镀铝层，2-PET基膜，21-电晕处理层，22-芯层，23-共混改性层。

具体实施方式