[发明专利]一种高阻隔VMPET薄膜及其制备方法在审
申请号: | 201911108840.9 | 申请日: | 2019-11-13 |
公开(公告)号: | CN110843297A | 公开(公告)日: | 2020-02-28 |
发明(设计)人: | 曹赤鹏;赵金彬;张忠跃;余伯春;张雪瑜 | 申请(专利权)人: | 嘉兴鹏翔包装材料有限公司 |
主分类号: | B32B27/06 | 分类号: | B32B27/06;B32B27/36;B32B27/08;B32B33/00;B65D65/40 |
代理公司: | 嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙) 33253 | 代理人: | 廖银洪 |
地址: | 314000 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阻隔 vmpet 薄膜 及其 制备 方法 | ||
1.一种高阻隔VMPET薄膜,其特征在于,所述VMPET薄膜包括PET基膜(2)和涂覆于所述PET基膜(2)上的镀铝层(1),所述PET基膜(2)包括由上至下依次设置的电晕处理层(21)、芯层(22)和共混改性层(23);该VMPET薄膜的制备方法包括以下步骤:
A、将电晕处理层(21)、芯层(22)和共混改性层(23)三层原料通过三层挤出机挤出,然后双向拉伸得到三层结构的PET基膜(2);
B、在真空状态下,将铝金属加热熔融至蒸发,铝原子凝结在PET基膜(2)的电晕处理层(21)表面,形成一层镀铝层(1),然后收卷得到。
2.根据权利要求1所述的一种高阻隔VMPET薄膜,其特征在于,所述电晕处理层(21)和芯层(22)均为PET聚酯切片。
3.根据权利要求1所述的一种高阻隔VMPET薄膜,其特征在于,所述共混改性层(23)为PET聚酯切片和PEN组成。
4.根据权利要求1所述的一种高阻隔VMPET薄膜,其特征在于,所述镀铝层(1)的厚度为450埃。
5.根据权利要求1所述的一种高阻隔VMPET薄膜,其特征在于,步骤B中的真空度为10-4mbar。
6.根据权利要求1~5任一项所述的一种高阻隔VMPET薄膜,其特征在于,所述电晕处理层(21)、芯层(22)和共混改性层(23)分别占PET基膜(2)的厚度比例为:10%~20%、60%~80%和10%~20%。
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