[发明专利]半导体工艺的监控方法

说明书

本发明提供一种半导体工艺的监控方法，包括以下步骤。将工艺参数设定在第一条件。进行第一工艺，以在所述第一晶圆上形成第一膜层，其中所述第一膜层未覆盖所述第一晶圆的晶边区。以图像获取装置拍摄具有所述第一膜层的所述第一晶圆，以得到第一晶圆图像。对所述第一晶圆图像进行图像识别，以取得第一数据。依据所述第一数据判断所述第一膜层的位置是否偏移。

技术领域

本发明涉及一种半导体的工艺方法，尤其涉及一种半导体工艺的监控方法。

背景技术

在半导体工艺中一般皆会将晶边区留白。然而，所留下来的膜层的置中性以及留白区域的大小或是均匀与否一直无法有效监控。

发明内容

本发明提供一种半导体工艺的监控方法，可以有效监控膜层的置中性以及留白区域的大小与均匀度。

本发明提出一种半导体工艺的监控方法，在所述第一晶圆上形成第一膜层，其中所述第一膜层未覆盖所述第一晶圆的晶边区。以图像获取装置拍摄具有所述第一膜层的所述第一晶圆，以得到第一晶圆图像。对所述第一晶圆图像进行图像识别，以取得第一数据。依据所述第一数据判断所述第一膜层的位置是否偏移。

依据本发明实施例，所述图像获取装置包括电荷耦合元件的相机或者是互补式氧金半导体相机。

依据本发明实施例，所述图像获取装置包括电荷耦合元件的相机或者是互补式氧金半导体相机。

依据本发明实施例，所述第一数据包括所述第一膜层的X轴的位置偏移量以及所述第一膜层的Y轴的位置偏移量。

依据本发明实施例，所述的半导体工艺的监控方法，还包括将所述第一数据输入静态工艺管制图中。

依据本发明实施例，所述的半导体工艺的监控方法，还包括：依据所述第一数据，判断所述第一膜层在所述第一晶圆上的位置是否偏移，当所述第一数据在一预设阀值范围内，则将所述工艺参数维持在所述第一条件，以进行第二晶圆的第二工艺；以及当所述第一数据超出所述预设阀值范围，则进行批次自动调机或手动调机，将所述工艺参数设定在第二条件，以进行第二晶圆的第二工艺。

依据本发明实施例，所述第一工艺包括将所述第一晶圆置于具有遮蔽所述晶边的遮蔽环的化学气相沉积机台中进行沉积工艺。

依据本发明实施例，所述第一膜层的材料包括碳化硅、氮化硅与氧化硅。

依据本发明实施例，所述第一工艺包括对具有沉积膜的所述第一晶圆进行洗边工艺。

依据本发明实施例，所述沉积膜包括铜镀膜与铜晶种层。

依据本发明实施例，所述的半导体工艺的监控方法，还包括在形成所述沉积膜之前，在所述第一晶圆上形成阻障层。

基于上述，本发明通过图像获取装置拍照，并将所得的图像数据化可以有效监控膜层的置中性以及晶边留白区域的大小与均匀度。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

附图说明

图1A是依照本发明实施例的工艺机台的示意图；

图1B是示出图1A的工艺室的局部剖面示意图；

图1C是示出具有均匀的留白区的晶圆图像示意图；

图1D是示出具有不均匀的留白区的晶圆图像示意图；

图2是依照本发明实施例的一种半导体工艺的监控方法的示意图；

图3是依照本发明实施例的一种X轴静态工艺管制图；

图4是示出机台控制系统的方块示意图；