[发明专利]半导体工艺的监控方法

权利要求书

1.一种半导体工艺的监控方法，其特征在于，包括：

将工艺参数设定在第一条件；

进行第一工艺，以在第一晶圆上形成第一膜层，其中所述第一膜层未覆盖所述第一晶圆的晶边区；

以图像获取装置拍摄具有所述第一膜层的所述第一晶圆，以得到第一晶圆图像；

对所述第一晶圆图像进行图像识别，以取得第一数据；以及

依据所述第一数据判断所述第一膜层的位置是否偏移。

2.根据权利要求1所述的半导体工艺的监控方法，其中所述图像获取装置包括电荷耦合元件的相机或者是互补式氧金半导体相机。

3.根据权利要求1所述的半导体工艺的监控方法，其中所述第一数据包括所述第一膜层的X轴的位置偏移量以及所述第一膜层的Y轴的位置偏移量。

4.根据权利要求3所述的半导体工艺的监控方法，还包括将所述第一数据输入静态工艺管制图中。

5.根据权利要求1所述的半导体工艺的监控方法，还包括：

依据所述第一数据，判断所述第一膜层在所述第一晶圆上的位置是否偏移，

当所述第一数据在一预设阀值范围内，则将所述工艺参数维持在所述第一条件，以进行第二晶圆的第二工艺；以及

当所述第一数据超出所述预设阀值范围，则进行批次自动调机或手动调机，将所述工艺参数设定在第二条件，以进行第二晶圆的第二工艺。

6.根据权利要求1所述的半导体工艺的监控方法，其中所述第一工艺包括将所述第一晶圆置于具有遮蔽所述晶边的遮蔽环的化学气相沉积机台中进行沉积工艺。

7.根据权利要求6所述的半导体工艺的监控方法，其中所述第一膜层的材料包括碳化硅、氮化硅与氧化硅。

8.根据权利要求1所述的半导体工艺的监控方法，其中所述第一工艺包括对具有沉积膜的所述第一晶圆进行洗边工艺。

9.根据权利要求8所述的半导体工艺的监控方法，其中所述沉积膜包括铜镀膜与铜晶种层。

10.根据权利要求9所述的半导体工艺的监控方法，还包括在形成所述沉积膜之前，在所述第一晶圆上形成阻障层。