[发明专利]操作非易失性存储器单元的方法

说明书

一种操作非易失性存储器单元的方法。所述非易失性存储器单元包含具有浮栅的浮栅晶体管。所述方法包含在编程操作中：执行初始编程搜寻操作以判别出所述浮栅晶体管的阈值电压的第一初始值，将所述浮栅晶体管的所述浮栅耦合至第一编程电压以提升所述浮栅晶体管的所述阈值电压，执行编程搜寻操作以判别出所述阈值电压的第一变量，根据所述阈值电压的所述第一变量生成第二编程电压，及将所述浮栅晶体管的浮栅耦合至所述第二编程电压以提升所述浮栅晶体管的所述阈值电压。

技术领域

本发明涉及一种操作非易失性存储器单元的方法，尤指一种使用阈值电压搜寻操作非易失性存储器单元的方法。

背景技术

可重写非易失性存储器是一种类型的存储器，即使不向存储器供电也可以保留其储存的信息，并允许即时重写程序。由于应用广泛，现今越来越需要将非易失性存储器与主电路嵌入同一晶片中，特别是对于缩小电路面积要求严格的个人电子设备。

例如，可重写非易失性存储器单元可以包括具有浮栅的浮栅晶体管。在这种情况下，通过在浮栅上施加编程电压，可能会导致FN穿隧效应(Fowler-Nordheim tunneling)，使浮栅捕捉浮栅下的电子。因此，浮栅晶体管的阈值电压将升高，并且该阈值电压可用于区分浮栅晶体管的编程状态。

然而，由于不同的非易失性存储器单元之间的特性变化，对于不同的非易失性存储器单元，能够引起FN穿隧的电压也可能不同。适用于一个非易失性存储器单元的编程电压可能不适用于另一非易失性存储器单元，而使编程电压设置变得复杂。

发明内容

本发明实施例提供一种操作非易失性存储器单元的方法。所述非易失性存储器单元包含具有浮栅的浮栅晶体管。所述方法包含在编程操作中：执行初始编程搜寻操作以判别出所述浮栅晶体管的阈值电压的第一初始值，将所述浮栅晶体管的所述浮栅耦合至第一编程电压以提升所述浮栅晶体管的所述阈值电压，执行编程搜寻操作以判别出所述阈值电压的第一变量，根据所述阈值电压的所述第一变量生成第二编程电压，及将所述浮栅晶体管的所述浮栅耦合至所述第二编程电压以提升所述浮栅晶体管的所述阈值电压。

本发明实施例提供一种操作非易失性存储器单元的方法，所述非易失性存储器单元包含具有浮栅的浮栅晶体管，具有第一端耦接于所述浮栅晶体管的所述浮栅及第二端耦接于控制线的控制元件，具有第一端耦接于所述浮栅晶体管的所述浮栅及第二端耦接于擦除线的擦除元件。所述方法包含执行初始擦除搜寻操作以判别出所述浮栅晶体管的所述阈值电压的初始值，施加第一擦除电压至所述擦除线以降低所述浮栅晶体管的所述阈值电压，执行擦除搜寻操作以判别出所述阈值电压的变量，根据所述阈值电压的所述变量生成第二擦除电压，及施加所述第二擦除电压至所述擦除线以降低所述浮栅晶体管的所述阈值电压。

附图说明

图1是本发明实施例的非易失性存储器单元的示意图。

图2是用于操作图1之非易失性存储器单元的方法之流程图。

图3是图2之方法施加到非易失性存储器单元的电压示意图。

图4是图2方法之步骤S210的流程图。

图5是图2方法之步骤S230的流程图。

图6是用于操作图1之非易失性存储器单元的另一方法之流程图。

图7是图6方法之步骤S310的流程图。

图8是图6方法之步骤S330的流程图。

其中，附图标记说明如下：

100 非易失性存储器单元

110 浮栅晶体管