[发明专利]操作非易失性存储器单元的方法

权利要求书

1.一种操作非易失性存储器单元的方法，所述非易失性存储器单元包含具有浮栅的浮栅晶体管，所述方法包含：

在编程操作中：

执行初始编程搜寻操作以判别出所述浮栅晶体管的阈值电压的第一初始值；

将所述浮栅晶体管的所述浮栅耦合至第一编程电压以提升所述浮栅晶体管的所述阈值电压；

执行编程搜寻操作以判别出所述阈值电压的第一变量；

根据所述阈值电压的所述第一变量生成第二编程电压；及

将所述浮栅晶体管的所述浮栅耦合至所述第二编程电压以提升所述浮栅晶体管的所述阈值电压。

2.根据权利要求1所述的方法，其中执行所述初始编程搜寻操作以判别出所述浮栅晶体管的所述阈值电压的所述第一初始值包含：

将所述浮栅晶体管的所述浮栅耦合至初始编程测试电压以执行编程验证操作；

当读取电流小于预定值时：

使所述初始编程测试电压增加固定步级电压以生成第一编程测试电压；及

将所述浮栅晶体管的所述浮栅耦合至所述第一编程测试电压以执行另一编程验证操作；及

当读取电流超过所述预定值时，将当下的编程验证操作所使用的编程测试电压用作为所述浮栅晶体管的所述阈值电压的所述第一初始值。

3.根据权利要求1所述的方法，其中执行所述编程搜寻操作以判别出所述阈值电压的所述第一变量包含：

将所述浮栅晶体管的所述浮栅耦合至所述阈值电压的所述第一初始值以执行编程验证操作；

当读取电流小于预定值时：

使阈值电压的所述第一初始值增加固定步级电压以生成第二编程测试电压；及

将所述浮栅晶体管的所述浮栅耦合至所述第二编程测试电压以执行另一编程验证操作；及

当读取电流超过所述预定值时，利用所述编程搜寻操作中执行编程验证操作的执行次数来代表所述阈值电压的所述第一变量。

4.根据权利要求3所述的方法，其中根据所述阈值电压的所述第一变量生成所述第二编程电压包含：

当所述编程搜寻操作中执行编程验证操作的所述执行次数小于第一阈值时，使所述第一编程电压增加第一步级电压以生成所述第二编程电压；及

当所述编程搜寻操作中执行编程验证操作的所述执行次数大于或等于所述第一阈值且小于第二阈值时，使所述第一编程电压增加第二步级电压以生成所述第二编程电压；

其中所述第一步级电压大于所述第二步级电压。

5.根据权利要求4所述的方法，其中根据所述阈值电压的所述第一变量生成所述第二编程电压另包含：

当所述编程搜寻操作中执行编程验证操作的所述执行次数大于或等于所述第二阈值，且小于第三阈值时，使用所述第一编程电压作为所述第二编程电压；及

当所述编程搜寻操作中执行编程验证操作的所述执行次数大于或等于所述第三阈值时，使所述第一编程电压减去第三步级电压以生成所述第二编程电压。

6.根据权利要求1所述的方法，另包含在所述编程操作中：

根据所述阈值电压的所述第一变量决定第一时段的长度；

其中在所述第一时段，所述浮栅晶体管的所述浮栅耦合至所述第二编程电压。

7.根据权利要求1所述的方法，其中当所述浮栅晶体管的所述阈值电压被提升至预定电压时，所述编程操作即完成。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述非易失性存储器单元另包含擦除元件，具有第一端耦接于所述浮栅晶体管的所述浮栅，及第二端耦接于擦除线，所述方法另包含：

在擦除操作中：

执行初始擦除搜寻操作以判别出所述浮栅晶体管的所述阈值电压的第二初始值；

施加第一擦除电压至所述擦除线以降低所述浮栅晶体管的所述阈值电

压；

执行擦除搜寻操作以判别出所述阈值电压的第二变量；

根据所述阈值电压的所述第二变量生成第二擦除电压；及

施加所述第二擦除电压至所述擦除线以降低所述浮栅晶体管的所述阈值电压；

其中当所述浮栅晶体管的所述阈值电压被降低至预定电压时，所述擦除操作即完成。