[发明专利]晶圆旋转装置及晶圆旋转系统

说明书

本发明提供了一种晶圆旋转装置，包括：基座、设置于所述基座上的旋转构件、以及设置于旋转构件上的晶圆承载件。所述基座包括多个第一磁性组件。所述旋转构件包括多个第二磁性组件。所述晶圆承载件用以承载晶圆。

技术领域

本发明涉及一种半导体制造领域，尤其涉及一种晶圆旋转装置。

背景技术

在半导体制造中，晶圆旋转装置用于在腔室中喷洒例如蚀刻剂在晶圆上。一般来说，晶圆旋转装置具有安装于晶圆下方的马达。当腔室的温度因晶圆旋转装置长时间运作而提升时，产生的污染物(例如蚀刻剂的副产品)会对马达组件造成损害。

发明内容

有鉴于此，有必要提供一种能够降低污染物的晶圆旋转装置。

另，还有必要提供一种具有所述晶圆旋转装置的晶圆处理系统。

本发明提供一种晶圆旋转装置，包括：基座，所述基座包括多个第一磁性组件；旋转构件，设置于所述基座上，所述旋转构件包括多个第二磁性组件；以及晶圆承载件，设置于旋转构件上以承载晶圆。

在本发明一些实施方式中，所述旋转构件电磁耦合至所述基座。

在本发明一些实施方式中，当晶圆旋转过程实施时，所述旋转构件磁悬浮于所述基座。

在本发明一些实施方式中，所述多个第一磁性组件为电磁铁或线圈。

在本发明一些实施方式中，所述多个第二磁性组件为超导磁体。

在本发明一些实施方式中，所述晶圆旋转装置进一步包括多个销，设置于所述晶圆承载件的上边缘，用于限制所述晶圆。

本发明还提供一种应用上述晶圆旋转装置的晶圆处理系统，包括：腔室，所述晶圆旋转装置容置于所述腔室中。

在本发明一些实施方式中，所述晶圆处理系统进一步包括第一喷头，用于喷涂液体或气体至所述晶圆的前表面。

在本发明一些实施方式中，所述晶圆处理系统进一步包括：通道，穿设于所述基座、所述旋转构件以及所述晶圆承载件；以及第二喷头，设置于所述通道，用于喷涂液体或气体至所述晶圆的后表面。

在本发明一些实施方式中，所述晶圆处理系统进一步包括排放孔，用于排出废液或废气。

相较于现有技术，本发明提供的晶圆旋转装置在晶圆旋转过程中，旋转构件磁悬浮于基座上，基座不须转动所以可采封闭状态固定于腔室底部，污染物例如废液或废气可直接排出腔室，减少对晶圆旋转装置或晶圆本体造成的污染。如此，可以延长晶圆旋转装置的使用寿命、降低因维修晶圆旋转装置造成的停机时间以及提高晶圆制备良率。

附图说明

图1A为本发明实施方式提供晶圆旋转装置结构示意图。

图1B为图1A中所示的旋转构件的俯视剖面示意图。

图1C为图1A中所示的晶圆旋转装置在悬浮与旋转状态的示意图。

图1D为图1A中所示的晶圆旋转装置在悬浮与旋转状态的侧视图。

图2为本发明实施方式提供具有图1A中所示的晶圆旋转装置的晶圆处理系统。

主要元件符号说明

晶圆旋转装置 100

基座 120

旋转构件 121

晶圆承载件 122

磁性组件 1251