[发明专利]晶圆旋转装置及晶圆旋转系统在审
| 申请号： | 201911097116.0 | 申请日： | 2019-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN111354673A | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 慎吉晟;南昌铉;吕寅准 | 申请（专利权）人： | 夏泰鑫半导体（青岛）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/687 | 分类号： | H01L21/687;H01L21/67;B08B17/06 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 彭辉剑;龚慧惠 |
| 地址： | 266000 山东省青岛市黄岛区*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 旋转 装置 系统 | ||
1.一种晶圆旋转装置，其特征在于，包括：
基座，所述基座包括多个第一磁性组件；
旋转构件，设置于所述基座上，所述旋转构件包括多个第二磁性组件；以及
晶圆承载件，设置于旋转构件上以承载晶圆。
2.如权利要求1所述的晶圆旋转装置，其特征在于，所述旋转构件电磁耦合至所述基座。
3.如权利要求1所述的晶圆旋转装置，其特征在于，当晶圆旋转过程实施时，所述旋转构件磁悬浮于所述基座。
4.如权利要求1所述的晶圆旋转装置，其特征在于，所述多个第一磁性组件为电磁铁或线圈。
5.如权利要求1所述的晶圆旋转装置，其特征在于，所述多个第二磁性组件为超导磁体。
6.如权利要求1所述的晶圆旋转装置，其特征在于，所述晶圆旋转装置进一步包括多个销，设置于所述晶圆承载件的上边缘，用于限制所述晶圆。
7.一种应用权利要求1-6中任一项所述的晶圆旋转装置的晶圆处理系统，其特征在于，包括：
腔室，所述晶圆旋转装置容置于所述腔室中。
8.如权利要求7所述的晶圆处理系统，其特征在于，所述晶圆处理系统进一步包括第一喷头，用于喷涂液体或气体至所述晶圆的前表面。
9.如权利要求7所述的晶圆处理系统，其特征在于，所述晶圆处理系统进一步包括：
通道，穿设于所述基座、所述旋转构件以及所述晶圆承载件；以及
第二喷头，设置于所述通道，用于喷涂液体或气体至所述晶圆的后表面。
10.如权利要求7所述的晶圆处理系统，其特征在于，所述晶圆处理系统进一步包括排放孔，用于排出废液或废气。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
