[发明专利]用于单个集成电路(IC)封装的多球栅阵列(BGA)配置在审

申请号：	201911094179.0	申请日：	2019-11-11
公开（公告）号：	CN111312668A	公开（公告）日：	2020-06-19
发明（设计）人：	M·A·侯塞恩;A·那拉马尔普;D·苏巴雷迪;D·索玛谢卡尔	申请（专利权）人：	英特尔公司
主分类号：	H01L23/31	分类号：	H01L23/31;H01L23/498;H05K1/18
代理公司：	永新专利商标代理有限公司 72002	代理人：	刘炳胜
地址：	美国加***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	用于单个集成电路 ic 封装多球栅阵列 bga 配置
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【权利要求书】：

1.一种集成电路(IC)封装，包括：

半导体管芯，设置在所述集成电路(IC)封装的第一侧上；

第一球栅阵列(BGA)连接部，设置在所述IC封装的所述第一侧上；以及

第二BGA连接部，设置在所述IC封装的第二侧上，其中，一个或多个迹线被配置为经由所述第一BGA连接部和所述第二BGA连接部路由数据。

2.根据权利要求1所述的集成电路封装，其中，所述第一BGA连接部包括一个或多个球栅阵列(BGA)焊料球。

3.根据权利要求1所述的集成电路封装，其中，所述第二BGA连接部包括一个或多个球栅阵列(BGA)焊盘。

4.根据权利要求3所述的集成电路封装，其中，所述一个或多个BGA焊盘被配置为通信地耦合到至少一个存储器设备，其中，所述至少一个存储器设备包括静态随机存取存储器(SRAM)、嵌入式动态随机存取存储器(EDRAM)、双倍数据速率同步动态随机存取存储器(DDRSDRAM)、双倍数据速率同步动态随机存取存储器(DDR SDRAM)、图形双倍数据速率同步动态随机存取存储器(GDDR SDRAM)或其组合。

5.根据权利要求4所述的集成电路封装，其中，所述半导体管芯被配置为经由所述一个或多个BGA焊盘与所述至少一个存储器设备通信。

6.根据权利要求1所述的集成电路封装，其中，所述第一BGA连接部包括一个或多个球珊阵列(BGA)焊料球，并且其中，所述半导体管芯被配置为经由所述一个或多个BGA焊料球与设置在印刷电路板(PCB)上的一个或多个设备通信，其中，所述一个或多个BGA焊料球连接到所述PCB。

7.根据权利要求6所述的集成电路封装，其中，所述半导体管芯被配置为经由所述一个或多个迹线和所述一个或多个BGA焊料球与所述一个或多个设备通信。

8.一种印刷电路板(PCB)组件，包括：

集成电路(IC)封装，包括：

半导体管芯，设置在所述集成电路(IC)封装的第一侧上；

第一球栅阵列(BGA)连接部，设置在所述IC封装的所述第一侧上；以及

第二BGA连接部，设置在所述IC封装的第二侧上，其中，一个或多个迹线被配置为经由所述第一BGA连接部和所述第二BGA连接部路由数据；以及

第一存储器设备，其中，所述半导体管芯被配置为经由所述第一BGA连接部与所述第一存储器设备通信。

9.根据权利要求8所述的PCB组件，其中，所述第一BGA连接部包括一个或多个球栅阵列(BGA)焊料球。

10.根据权利要求9所述的PCB组件，其中，所述第二BGA连接部包括一个或多个球栅阵列(BGA)焊盘。

11.根据权利要求10所述的PCB组件，其中，所述一个或多个BGA焊盘被配置为通信地耦合到所述第一存储器设备。