[发明专利]一种平板探测器有效
| 申请号: | 201911090235.3 | 申请日: | 2019-11-08 |
| 公开(公告)号: | CN110707117B | 公开(公告)日: | 2022-07-29 |
| 发明(设计)人: | 王宗元;包亚洲;何海龙;杨刚;徐田雨;王世鑫;龙君 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L31/0232;G01T1/202 |
| 代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 金俊姬 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 平板 探测器 | ||
1.一种平板探测器,其特征在于,包括阵列基板、封装层、以及位于所述阵列基板与所述封装层之间且依次设置的第一闪烁体材料层、缓冲层和第二闪烁体材料层;所述缓冲层配置为光扩散层,所述缓冲层包括树脂材料和分布于所述树脂材料中的散射粒子;所述散射粒子的直径为1μm-20μm;
所述第一闪烁体材料层靠近所述阵列基板,所述第二闪烁体材料层靠近所述封装层;
所述第一闪烁体材料层的厚度大于所述第二闪烁体材料层的厚度;
所述第二闪烁体材料层在衬底基板上的投影落入所述第一闪烁体材料层在衬底基板上的投影之内。
2.如权利要求1所述的平板探测器,其特征在于,所述缓冲层为有机材料。
3.如权利要求2所述的平板探测器,其特征在于,所述缓冲层为树脂材料。
4.如权利要求1所述的平板探测器,其特征在于,所述缓冲层朝向所述封装层一侧表面具有凸起结构,所述凸起结构的直径为10μm-100μm。
5.如权利要求1所述的平板探测器,其特征在于,所述第一闪烁体材料层和第二闪烁体材料层为采用晶柱生长方式形成的闪烁体材料。
6.如权利要求5所述的平板探测器,其特征在于,所述第一闪烁体材料层和第二闪烁体材料层为碘化铯材料。
7.如权利要求1所述的平板探测器,其特征在于,所述第一闪烁体材料层与第二闪烁体材料层的厚度之和为250μm~600μm。
8.如权利要求1所述的平板探测器,其特征在于,所述第一闪烁体材料层和第二闪烁体材料层在阵列基板上的投影位于所述缓冲层的投影内、且位于所述封装层的投影内;
所述平板探测器还包括位于所述缓冲层和所述封装层之间的密封胶,所述密封胶围绕所述第二闪烁体材料层设置,配置为将所述缓冲层的边缘与所述封装层的边缘密封粘接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





