[发明专利]一种具有隐形扩展电极的大尺寸发光二极管及制作方法

说明书

本发明公开一种具有隐形扩展电极的大尺寸发光二极管，包括外延结构、第二电极、与金属扩展电极连接的焊台电极构成的第一电极，外延结构包括衬底、第二型导电层、有源层和第一型导电层；第二型导电层和第二电极电连接，第一型导电层上开设凹槽，凹槽的侧壁形成金属扩展电极层，且相邻侧壁的金属扩展电极层构成相互连续；凹槽内设焊台电极，焊台电极与金属扩展电极层形成电连接。本案还公开了该发光二极管的制作方法。本案通过设置特殊的凹槽结构，达到均匀扩展电流的作用，扩展电极的厚度极薄，且扩展电极设置在凹槽侧面的垂直面上，相当于隐形，解决现有技术中金属扩展电极底面挡光的问题，实现大范围的发光面积，从而保持优越的电流扩展效果。

技术领域

本发明涉及发光二极管领域，特别涉及一种具有隐形扩展电极的大尺寸发光二极管及制作方法。

背景技术

随着发光二极管的快速发展，LED的应用日新月异。随着市场对发光二极管的发光功率需求越来越高，使得芯片尺寸也越做越大。由于大尺寸芯片会带来电流扩展不够好的问题，使得芯片结构不断地改进优化。目前大尺寸芯片都采用多扩展电流的芯片电极结构，使得电流能较好地在大面积芯片扩展开。

但是，尺寸芯片采用多扩展电流的芯片电极结构，虽然使得电流能较好地在大面积芯片扩展开，但需要较多的扩展电极做引导，且蓝宝石基板的GaN系材料的发光二极管是同侧电极，使得P、N两面的扩展电极挡光面积及有源区的损失面积加大而降低发光效率。

现有技术中，如专利号201410433643.5公开的一种具有嵌入式扩展电极的红外发光二极管，其在粗化层上形成沟槽且裸露出欧姆接触层，扩展电极形成于沟槽中的欧姆接触层表面，扩展电极与欧姆接触层接触形成欧姆接触，主要技术效果是通过在沟槽内填充金属形成扩展电极，解决了腐蚀去除外延层或表面粗化层引起侧蚀扩展电极下的外延层，导致扩展电极产生锯齿状边缘或扩展电极脱落的技术问题，此外，该专利还记述了沟槽的形状呈“一”字、“十”字等形状；该专利虽然实现了电流扩展，但由于整个沟槽被扩展电极所填充，所以不管是“一”字型还是“十”字型沟槽中的扩展电极都会直接遮挡到沟槽底部的发光面积，影响发光效率，并且不适合大尺寸发光二极管。

鉴于上述本领域现有技术的不足，本发明人凭借多年行业经验设计一种发光效率更强的大尺寸发光二极管及制作方法。

发明内容

本发明的目的在于提供一种具有隐形扩展电极的大尺寸发光二极管，更充分地提高发光面积，保持优越的电流扩展效果。

本发明的目的还在于提供一种具有隐形扩展电极的大尺寸发光二极管的制作方法，更充分地提高发光面积，保持优越的电流扩展效果。

为了达成上述目的，本发明的技术方案如下：

一种具有隐形扩展电极的大尺寸发光二极管，包括：外延结构、第二电极、与金属扩展电极连接的焊台电极构成的第一电极，所述外延结构包括衬底、第二型导电层、有源层和第一型导电层；所述第二型导电层和第二电极电连接，所述第一型导电层上开设凹槽，凹槽的侧壁形成金属扩展电极层，且相邻侧壁的金属扩展电极层构成相互连续；凹槽内设焊台电极，焊台电极与金属扩展电极层形成电连接。

优选地，所述凹槽至少为一条，凹槽之间相互平行。

优选地，所述凹槽为多层阶结构，至少包括两层以上的凹槽，第一层阶凹槽的槽底下沉开设第二层阶凹槽，第二层阶凹槽贯通第一层阶的所有凹槽，第二层阶凹槽的侧壁形成金属扩展电极层，第二层阶凹槽的侧壁的金属扩展电极层与第一层阶凹槽的侧壁的金属扩展电极层构成相互连续。

优选地，所述第二层阶凹槽垂直于第一层阶凹槽。

优选地，所述焊台电极直立在第一层阶最中间的一条凹槽与第二层阶凹槽的交叉处，且与第一金属扩展电极层、第二金属扩展电极层形成电连接。

优选地，所述凹槽的形状为方形。