[发明专利]镀膜生产线控制方法有效

专利信息
申请号: 201911082246.7 申请日: 2019-11-07
公开(公告)号: CN110735123B 公开(公告)日: 2022-10-18
发明(设计)人: 祝海生;陈立;唐洪波;唐莲;薛闯;金诚明;凌云;孙桂红;梁红;黄国兴;黄乐 申请(专利权)人: 湘潭宏大真空技术股份有限公司
主分类号: C23C14/56 分类号: C23C14/56;C23C14/54;C23C14/34
代理公司: 湖南乔熹知识产权代理事务所(普通合伙) 43262 代理人: 安曼
地址: 411100 湖*** 国省代码: 湖南;43
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 镀膜 生产线 控制 方法
【权利要求书】:

1.一种镀膜生产线控制方法,所述方法应用到上位机中,传送流水线和镀膜生产线首尾相连形成一环形流水线,上位机与传送流水线以及镀膜生产线相通信连接,以通过所述上位机对所述传送流水线和所述镀膜生产线进行控制,其特征在于,所述方法包括:

检测进口室内是否传入基片,当所述进口室传入基片时,则通过真空泵将所述生产线上各个腔室抽真空至中真空范围,并将所述基片传送入进口缓冲室;

检测进口缓冲室是否传入基片,当所述进口缓冲室传入基片时,则对所述基片进行加热,并将所述基片传送至进口过渡室;

检测进口过渡室是否传入基片,当所述进口过渡室传入基片时,则对所述基片进行加热,并通过真空泵和分子泵对所述进口过渡室以及所述生产线后续的预设腔室进行抽真空至高真空范围,并将所述基片传送至清洗室;

检测清洗室是否传入基片,当所述清洗室传入基片时,则启动等离子设备对所述基片进行清洗,并控制传送基片的传动辊的运行模式从间断模式转变为连续模式,将所述基片依次传入至多个镀膜工艺室,且多个镀膜工艺室之间至少设置一个隔离室;其中,各个镀膜工艺室根据气氛来确定之间是否存在隔离室,且设置各个工艺室中的气氛以及对应的靶材,在镀膜的时,改变每一个工艺室的气氛,控制基片的速度以使得基片经过每一个工艺室,从而每一个工艺室镀一层膜,最后使得基片镀了多层膜;

检测出口过渡室是否传入基片,当出口过渡室传入基片时,则控制传送基片的传动辊的运行模式从连续模式转变为间断模式,并将真空范围由高真空范围降低至中真空后,将所述基片传送至出口缓冲室;

检测出口缓冲室是否传入基片,当出口缓冲室传入基片时,则将真空范围由中真空范围降低至低真空后,将所述基片传送至出口室;

检测出口室是否传入基片,当出口室传入基片时,则将真空范围由低真空范围降低至大气状态后,开启阀门将所述基片送出所述出口室;

所述将所述基片依次传入至多个镀膜工艺室,包括:

实时检测所述基片当前所在的镀膜工艺室,并查询与所述镀膜工艺室对应的基片的传输速度;

通过所述基片的传输速度调整所述传动辊的运行;

所述方法还包括:

获取基片的当前传输速度,并计算在一定时间内通过的距离;

通过光电传感器检测在所述时间内是否通过所述距离;

若没有通过所述距离,则输出传输故障的信息,并进行报警;

所述方法还包括:

获取预先设置的与各个腔室对应的基片加热温度;

实时检测所述基片当前所在的腔室,并获取到与所述腔室对应的基片加热温度;

根据所述基片加热温度控制加热器对所述基片进行加热,并通过温度传感器实时回传所述基片的当前温度;

所述方法还包括:

接收用户输入的针对每一个镀膜工艺室的功率值、电压值以及电流值的设定;

根据所述功率值、电压值以及电流值对所述镀膜工艺室的溅射电源以及阴极靶位进行设置;

所述方法还包括:

当所述生产线上的设备的状态发生变化时,则查询预先设置的安全互锁表,所述设备包括真空泵、分子泵、各个腔室的阀门、放气阀门、传动电机、真空加热设备、溅射电源;

根据所述安全互锁表中各个设备的状态对其他设备进行调整。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:

启动水冷装置,通过所述水冷装置对所述生成线上的设备进行降温处理,并实时检测水冷装置中水的流量和温度;

当水的流量低于设定流量时,则输出报警信号;

当水的温度高于设定温度时,则输出报警信号;

当存在输出的报警信号时,则停止镀膜工艺室中的镀膜操作。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述启动等离子设备对所述基片进行清洗之后,还包括:

获取预设清洗时间,并判断所述基片的清洗时间是否达到所述预设清洗时间;

如果没有达到所述预设清洗时间,则继续通过等离子设备对所述基片进行清洗;

如果达到所述预设清洗时间,则控制传送基片的传动辊的运行模式从间断模式转变为连续模式,将所述基片依次传入至多个镀膜工艺室。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湘潭宏大真空技术股份有限公司,未经湘潭宏大真空技术股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911082246.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top