[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有掺杂区和多个间隔排列的埋入式金属连线；

所述埋入式金属连线穿过所述掺杂区；

在所述掺杂区表面形成阻挡层；

对所述阻挡层进行刻蚀处理，将位于所述埋入式金属连线上表面的所述阻挡层刻蚀成沟槽形状；

在所述沟槽的侧壁表面形成侧壁介质层；

在所述沟槽内填充金属层，所述金属层与所述埋入式金属连线电连接；

去除金属层四周的阻挡层以及金属层与阻挡层下层的部分掺杂区，仅保留位于所述埋入式金属连线侧壁的掺杂区；

在所述金属层和所述埋入式金属连线的侧壁沉积低介电层。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述阻挡层的步骤进一步包括：

在最外层的所述阻挡层的表面形成光刻胶层；

将所述沟槽的形状尺寸设置在所述光刻胶层表面；

根据所述沟槽的形状尺寸对所述阻挡层进行刻蚀。

3.根据权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述阻挡层的材料包括：氮化硅、氧化硅、氮氧化硅以及碳氧化硅中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，对所述阻挡层进行刻蚀处理的步骤进一步包括：

先将位于所述埋入式金属连线上表面的所述阻挡层刻蚀成沟槽形状；

在刻蚀后的所述沟槽和所述阻挡层的表面沉积介质层；

保留所述沟槽的侧壁形成侧壁介质层，去除其他所述介质层。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括：所述沟槽内填充金属层之前，在所述侧壁介质层的表面和所述沟槽的底部沉积过渡层。

6.根据权利要求5所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括：在所述沟槽内填充金属层，所述金属层与所述埋入式金属连线电连接。

7.根据权利要求6所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括：所述低介电层的表面与所述金属层表面齐平。

8.根据权利要求7所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在所述金属层和所述低介电层的上表面沉积薄膜层。

9.一种半导体器件，其特征在于，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底上具有掺杂区和多个间隔排列的埋入式金属连线，所述掺杂区位于所述半导体衬底上部；

所述埋入式金属连线穿过所述掺杂区，且所述掺杂区位于所述埋入式金属连线侧壁；

填充金属层，所述填充金属层位于所述掺杂区及所述埋入式金属连线的表面；

侧壁介质层，位于所述填充金属层的侧壁表面；

低介电层，位于所述侧壁介质层和所述掺杂区的侧壁。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述掺杂区还包括：金属连线、介质层，其中所述金属连线填充位于介质层的通孔中。

11.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

薄膜层，覆盖于所述填充金属层和所述低介电层的表面。