[发明专利]显示面板及其制备方法、显示装置

说明书

本发明提供了一种显示面板及其制备方法、显示装置。所述显示面板包括基层、栅极层、绝缘层以及有缘层。其中，所述栅极层设于所述基层上，其具有第一栅极层和第二栅极层，所述第二栅极层设于所述第一栅极层的表面。所述绝缘层覆于所述栅极层和所述基层上。所述有源层设于所述绝缘层远离所述栅极层的一表面上，所述有源层具有第一层段和连接于所述第一层段的第二层段，所述第二层段的表面高于所述第一层段的表面。

技术领域

本发明涉及显示器件领域，特别是一种显示面板及其制备方法、显示装置。

背景技术

金属氧化物薄膜晶体管(Metal oxide thin film transistor,MO-TFT)，尤其是铟镓锌氧化物(IGZO)TFT，由于具有良好的均一性、高迁移率、低漏电流、适合大面积工业制备等优点，广泛的应用到了平板显示行业中。

现有MO-TFT通常以BCE(Back Channel Etching，背沟道刻蚀)结构、ESL(EtchStop Layer，蚀刻阻挡层)结构和Top-Gate结构为主。其中，BCE结构因源漏极金属刻蚀酸液会对有源层进行刻蚀造成损伤而致使TFT器件性能较差，而Top-gate结构因结构和工艺复杂，生产成本较高等原因未能应用于LCD显示中。ESL结构因刻蚀阻挡层可有效的保护沟道免受金属刻蚀液影响，同时也没有top-gate的结构复杂，因而器件性能和工艺成熟度都较高，但也存在器件难以做小，影响LCD穿透率的缺点。

发明内容

本发明的目的是提供一种显示面板及其制备方法、显示装置，以解决现有技术中ESL型结构的金属氧化物薄膜晶体管器件结构复杂，影响显示面板穿透率等问题。

为实现上述目的，本发明提供一种显示面板，其包括基层、栅极层、绝缘层以及有缘层。其中，所述栅极层设于所述基层上，其具有第一栅极层和第二栅极层，所述第二栅极层设于所述第一栅极层的表面。所述绝缘层覆于所述第一栅极层、所述第二栅极层和所述基层上。所述有源层设于所述绝缘层远离所述栅极层的一表面上，所述有源层具有第一层段和连接于所述第一层段的第二层段，所述第二层段的表面高于所述第一层段的表面。

进一步地，所述显示面板还包括蚀刻阻挡层、源极层以及钝化层。所述蚀刻阻挡层设于所述绝缘层上，并覆盖部分有源层。所述源极层设于所述绝缘层上，并覆盖另一部分有源层上，同时对应于所述第二栅极层。所述钝化层覆于所述源极层和所述蚀刻阻挡层上。

进一步地，所述显示面板还包括像素电极层，所述像素电极层设于所述钝化层上。在所述钝化层和所述蚀刻阻挡层中还具有一接触孔，所述接触孔贯穿所述钝化层和所述蚀刻阻挡层至所述有源层的一表面上，并对应设于所述有源层远离所述源极层的一端，所述像素电极层通过所述接触孔与所述有源层连接。

进一步地，所述第二栅极层的面积小于所述第一栅极的面积。

进一步地，所述有源层的材料包括多晶硅、金属氧化物。

进一步地，所述金属氧化物半导体包括铟镓锌氧化物、氧化锌、锌钛氧化物、铟镓锌钛氧化物中的一种或多种。

本发明中还提供一种显示面板的制备方法，其包括以下步骤：

步骤S10)提供一基层。

步骤S20)在所述基层上形成栅极层。

步骤S30)在所述栅极层和所述基层上形成绝缘层。

步骤S40)在所述绝缘层上形成有源层。

其中，所述形成栅极层步骤中包括：在所述基层上形成第一栅极层，在所述第一栅极层上形成第二栅极层。

进一步地，所述显示面板制备方法中还包括以下步骤：

步骤S50)在所述有源层和所述绝缘层上形成蚀刻阻挡层。