[发明专利]显示面板及其制备方法、显示装置在审
申请号: | 201911080068.4 | 申请日: | 2019-11-07 |
公开(公告)号: | CN111029342A | 公开(公告)日: | 2020-04-17 |
发明(设计)人: | 谢华飞 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1368 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 张晓薇 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
基层;
栅极层,设于所述基层上,所述栅极层具有第一栅极层和第二栅极层,所述第二栅极层设于所述第一栅极层的表面;
绝缘层,覆于所述第一栅极层、所述第二栅极层和所述基层上;
有源层,设于所述绝缘层远离所述栅极层的一表面上,所述有源层具有第一层段和连接于所述第一层段的第二层段,所述第二层段的表面高于所述第一层段的表面。
2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括:
蚀刻阻挡层,设于所述绝缘层上,并覆盖部分有源层;
源极层,设于所述绝缘层上,并覆盖另一部分有源层上,同时对应于所述第二栅极层;
钝化层,覆于所述源极层和所述蚀刻阻挡层上。
3.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于,还包括:
像素电极层,设于所述钝化层上;
接触孔,所述接触孔贯穿所述钝化层和所述蚀刻阻挡层至所述有源层的一表面上,并对应设于所述有源层远离所述源极层的一端,所述像素电极层通过所述接触孔与所述有源层连接。
4.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第二栅极层的面积小于所述第一栅极的面积。
5.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述有源层的材料包括多晶硅、金属氧化物。
6.如权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述金属氧化物半导体包括铟镓锌氧化物、氧化锌、锌钛氧化物、铟镓锌钛氧化物中的一种或多种。
7.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供一基层;
在所述基层上形成栅极层;
在所述栅极层和所述基层上形成绝缘层;
在所述绝缘层上形成有源层;
其中,所述形成栅极层步骤中包括以下步骤:
在所述基层上形成第一栅极层;
在所述第一栅极层上形成第二栅极层。
8.如权利要求7所述的显示面板的制备方法,其特征在于,还包括以下步骤:
在所述有源层和所述绝缘层上形成蚀刻阻挡层;
在所述绝缘层和所述有源层上形成源极层;
在所述绝缘层、所述源极层和所述蚀刻阻挡层上形成钝化层。
9.如权利要求8所述的显示面板,其特征在于,还包括以下步骤:
在所述钝化层上形成像素电极层:在所述钝化层和所述蚀刻阻挡层内形成接触孔,在所述接触孔内以及所述钝化层上沉积导电材料形成所述像素电极层。
10.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-6中任意一项所述的显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的