[发明专利]CsPbBr3 在审
| 申请号: | 201911073995.3 | 申请日: | 2019-11-06 |
| 公开(公告)号: | CN111106244A | 公开(公告)日: | 2020-05-05 |
| 发明(设计)人: | 曹小兵;张国帅;贾怡;蔡一帆;蒋龙 | 申请(专利权)人: | 五邑大学;中国空间技术研究院 |
| 主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/44;H01L51/46;H01L51/48 |
| 代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 刘方 |
| 地址: | 529000 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | cspbbr base sub | ||
本发明公开了一种CsPbBr3薄膜及其制备方法和器件,该制备方法包括以下步骤:取PbBr2溶解于混合溶剂中形成PbBr2溶液,混合溶剂为聚乙二醇和γ‑丁内酯,涂覆PbBr2溶液进行成膜;在PbBr2溶液进行成膜的过程中加入挥发性反溶剂,形成PbBr2·PEG薄膜后进行第一退火处理,挥发性反溶剂与聚乙二醇互溶;在PbBr2·PEG薄膜上涂覆CsBr溶液,进行处理以使得CsBr与PbBr2反应生成CsPbBr3。采用无毒的PEG和GBL作为混合溶剂溶解PbBr2,克服了现有技术依赖有毒溶剂溶解PbBr2的缺点,利用本发明的方法能够制备出高质量的CsPbBr3薄膜,在基于CsPbBr3薄膜的器件中具有较好的应用前景。
技术领域
本发明涉及钙钛矿材料技术领域,尤其是涉及一种CsPbBr3薄膜及其制备方法和器件。
背景技术
近年来,钙钛矿材料因其合适的带隙、高的光吸收系数、高的载流子迁移率、低的缺陷密度等优异的性质而备受瞩目。CsPbBr3薄膜因其在大气环境中表现出优异的稳定性,在太阳能电池、发光二极管、光电探测器、阻变存储器等领域具有重要的应用价值,获得了广泛研究。目前常常使用两步法制备CsPbBr3薄膜。第一步,制备PbBr2薄膜,首先将PbBr2粉末溶解在DMF中形成溶液,然后通过旋涂工艺成膜形成PbBr2薄膜;第二步,将PbBr2薄膜与CsBr的反应形成CsPbBr3薄膜。现有制备CsPbBr3薄膜的方法仍然依赖于有毒的机溶剂DMF去溶解PbBr2,并且制备得到的CsPbBr3薄膜的性能还有待改善。因此,寻找合适的无毒/低毒的绿色有机溶剂溶解PbBr2同时制备出高质量的CsPbBr3,对CsPbBr3钙钛矿材料的广泛应用和行业的发展是十分必要的。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本发明提出一种CsPbBr3薄膜的制备方法,采用无毒的聚乙二醇(PEG)和γ-丁内酯(GBL)混合溶剂作为溶解PbBr2的溶剂,克服了现有制备CsPbBr3钙钛矿薄膜依赖有毒溶剂溶解PbBr2的缺点,同时能够形成高质量的CsPbBr3薄膜,在器件如太阳能电池、光电探测器、发光二极管、阻变存储器、随机激光发射器中具有较好的应用前景。
本发明所采取的技术方案是:
本发明的第一方面,提供一种CsPbBr3薄膜的制备方法,包括以下步骤:
取PbBr2溶解于混合溶剂中形成PbBr2溶液,所述混合溶剂为聚乙二醇和γ-丁内酯,涂覆所述PbBr2溶液进行成膜;
在所述PbBr2溶液进行成膜的过程中或者成膜后加入挥发性反溶剂,形成PbBr2·PEG薄膜后进行第一退火处理,所述挥发性反溶剂与聚乙二醇互溶;
在所述PbBr2·PEG薄膜上涂覆CsBr溶液,进行处理以使得CsBr与PbBr2反应生成CsPbBr3。
使用的混合溶剂中,GBL的加入能够有效地调节混合溶剂的粘度,克服了由纯PEG制备薄膜存在连续性差的缺陷。
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