[发明专利]CsPbBr3

权利要求书

1.一种CsPbBr₃薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

取PbBr₂溶解于混合溶剂中形成PbBr₂溶液，所述混合溶剂为聚乙二醇和γ-丁内酯，涂覆所述PbBr₂溶液进行成膜；

在所述PbBr₂溶液进行成膜的过程中或者成膜后加入挥发性反溶剂，形成PbBr₂·PEG薄膜后进行第一退火处理，所述挥发性反溶剂与聚乙二醇互溶；

在所述PbBr₂·PEG薄膜上涂覆CsBr溶液，进行处理以使得CsBr与PbBr₂反应生成CsPbBr₃。

2.根据权利要求1所述的CsPbBr₃薄膜的制备方法，其特征在于，所述挥发性反溶剂包括异丙醇、苯甲醚、冰醋酸、乙酸乙酯中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的CsPbBr₃薄膜的制备方法，其特征在于，所述混合溶剂中，γ-丁内酯的体积分数为10％～60％。

4.根据权利要求1所述的CsPbBr₃薄膜的制备方法，其特征在于，所述PbBr₂溶液的温度为20℃～150℃。

5.根据权利要求1-4任一项所述的CsPbBr₃薄膜的制备方法，其特征在于，所述第一退火处理的温度为60℃～120℃。

6.根据权利要求1-4任一项所述的CsPbBr₃薄膜的制备方法，其特征在于，所述处理的方式包括第二退火处理和/或光照处理。

7.根据权利要求6所述CsPbBr₃薄膜的制备方法，其特征在于，所述第二退火处理的温度为20℃～300℃；所述光照处理的功率密度为200mW/cm²～1000mW/cm²。

8.一种CsPbBr₃薄膜，其特征在于，所述CsPbBr₃薄膜由根据权利要求1-7任一项所述的CsPbBr₃薄膜的制备方法制备。

9.一种器件，其特征在于，所述器件包括权利要求8所述的CsPbBr₃薄膜。

10.根据权利要求9所述的器件，其特征在于，所述器件包括太阳能电池、发光二极管、光电探测器、阻变存储器和随机激光发射器中的任一种。