[发明专利]微发光元件阵列基板、制备方法以及转移方法

说明书

本发明公开了一种微发光元件阵列基板、制备方法以及转移方法，微发光元件阵列基板包括：衬底；微发光二极管芯片，呈阵列分布在衬底上，微发光二极管芯片背离衬底的表面为连接面；牺牲层，设置在连接面上，牺牲层包括至少一个第一开口；隔离层，至少部分隔离层设置在牺牲层背离微发光二级管芯片的一侧，其中隔离层填充第一开口，且隔离层在第一开口处形成连接结构，连接结构与微发光二极管芯片直接接触。本发明提供的微发光元件阵列基板能够与临时基板稳定连接，易于剥离衬底，同时能够便于微发光二极管芯片与临时基板分离，防止对微发光二极管芯片造成损伤，提高显示面板的制造良率。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种微发光元件阵列基板、微发光元件阵列基板的制备方法以及微发光二极管芯片的转移方法。

背景技术

微发光二极管(μLED/Micro-LED)显示技术是指在衬底上以高密度集成的微小发光二极管阵列为像素实现发光显示的技术。目前，微发光二极管技术逐渐成为研究热门，工业界期待有高品质的微发光二极管产品进入市场。高品质微发光二极管产品会对市场上已有的诸如LCD(液晶显示器)/OLED(有机发光二极管显示)的显示产品产生深刻影响。但是由于微发光二极管尺寸较小，且相邻微发光二极管间距较小，使得目前微发光二极管的制造例如对衬底的剥离过程存在许多困难。

发明内容

本发明实施例提供一种微发光元件阵列基板、微发光元件阵列基板的制备方法以及微发光二极管芯片的转移方法，微发光元件阵列基板能够与临时基板稳定连接，易于剥离衬底，同时能够便于与临时基板分离，防止对微发光二极管芯片造成损伤，提高显示面板的制造良率。

第一方面，本发明实施例提供一种微发光元件阵列基板，包括：衬底；微发光二极管芯片，呈阵列分布在衬底上，微发光二极管芯片包括叠层结构以及至少一个电极，叠层结构包括沿背离衬底的方向层叠设置的第一半导体层、量子阱层、第二半导体层以及导电层，至少一个电极设置在叠层结构背离衬底的一侧，在微发光二极管远离衬底的一侧至少设置有一个电极，微发光二极管芯片背离衬底的表面为连接面；牺牲层，设置在连接面上，牺牲层包括至少一个第一开口；隔离层，至少部分隔离层设置在牺牲层背离微发光二级管芯片的一侧，其中隔离层填充第一开口，且隔离层在第一开口处形成连接结构，连接结构与微发光二极管芯片直接接触。

根据本发明实施例的一个方面，连接结构的数量为1个至5个。

根据本发明实施例的一个方面，连接结构在连接面上正投影的总面积为连接面面积的1/15～1/5。

根据本发明实施例的一个方面，连接结构在连接面上的正投影位于连接面的中心和/或边缘。

根据本发明实施例的一个方面，连接结构的数量为两个以上，在所述连接面的正投影位于所述连接面边缘的连接结构相互对称。

根据本发明实施例的一个方面，层叠结构包括背离衬底的第一表面和环绕第一表面的侧壁，微发光二极管芯片还包括钝化层，钝化层设置在层叠结构的侧壁、以及第一表面与牺牲层之间。

根据本发明实施例的一个方面，沿背离衬底的方向，第一开口在平行于微发光元件阵列基板平面方向的横截面面积递增

第二方面，本发明实施例提供一种微发光元件阵列基板的制备方法，包括：提供衬底；在衬底上形成微发光二极管芯片，微发光二极管芯片背离衬底的表面为连接面；在连接面形成图案化的牺牲层，牺牲层包括至少一个第一开口；在牺牲层背离微发光二级管芯片的一侧形成隔离层，隔离层填充第一开口，且隔离层在第一开口处形成连接结构。

第三方面，本发明实施例提供一种微发光二极管芯片的转移方法，包括：提供上述的微发光元件阵列基板；将微发光元件阵列基板的隔离层与临时基板连接；剥离衬底；去除牺牲层，使得部分连接面与隔离层分离且微发光二极管芯片通过连接结构与临时基板连接。