[发明专利]微发光元件阵列基板、制备方法以及转移方法

权利要求书

1.一种微发光元件阵列基板，其特征在于，包括：

衬底；

微发光二极管芯片，呈阵列分布在所述衬底上，所述微发光二极管芯片包括叠层结构以及至少一个电极，所述叠层结构包括沿背离所述衬底的方向层叠设置的第一半导体层、量子阱层、第二半导体层以及导电层，所述至少一个电极设置在所述叠层结构背离所述衬底的一侧，所述微发光二极管芯片背离所述衬底的表面为连接面；

牺牲层，设置在所述连接面上，所述牺牲层包括至少一个第一开口；

隔离层，至少部分所述隔离层设置在所述牺牲层背离所述微发光二极管芯片的一侧，其中所述隔离层填充所述第一开口，且所述隔离层在所述第一开口处形成连接结构，所述连接结构与所述微发光二极管芯片直接接触，所述连接结构在所述连接面上的正投影位于所述连接面的中心和/或边缘。

2.根据权利要求1所述的微发光元件阵列基板，其特征在于，所述连接结构的数量为1个至5个。

3.根据权利要求2所述的微发光元件阵列基板，其特征在于，所述连接结构在所述连接面上正投影的总面积为所述连接面面积的1/15~1/5。

4.根据权利要求1所述的微发光元件阵列基板，其特征在于，所述连接结构的数量为两个以上，在所述连接面的正投影位于所述连接面边缘的连接结构相互对称。

5.根据权利要求1至4任一项所述的微发光元件阵列基板，其特征在于，所述叠层结构包括背离所述衬底一侧的第一表面和环绕所述第一表面的侧壁，所述微发光二极管芯片还包括钝化层，所述钝化层设置在所述叠层结构的所述侧壁、以及所述第一表面与所述牺牲层之间；

其中，所述电极贯穿所述钝化层。

6.根据权利要求1至4任一项所述的微发光元件阵列基板，其特征在于，沿背离所述衬底的方向，所述第一开口在平行于所述微发光元件阵列基板平面方向的横截面面积递增。

7.一种微发光元件阵列基板的制备方法，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成微发光二极管芯片，所述微发光二极管芯片背离所述衬底的表面为连接面；

在所述连接面形成图案化的牺牲层，所述牺牲层包括至少一个第一开口；

在所述牺牲层背离所述微发光二级管芯片的一侧形成隔离层，所述隔离层填充所述第一开口，且所述隔离层在所述第一开口处形成连接结构，所述连接结构与所述微发光二极管芯片直接接触，所述连接结构在所述连接面上的正投影位于所述连接面的中心和/或边缘。

8.一种微发光二极管芯片的转移方法，其特征在于，包括：

提供根据权利要求1至6任一项所述的微发光元件阵列基板；

将所述微发光元件阵列基板的所述隔离层与临时基板连接；

剥离所述衬底；

去除所述牺牲层，使得部分所述连接面与所述隔离层分离且使所述微发光二极管芯片通过所述连接结构与所述临时基板连接。

9.根据权利要求8所述的微发光二极管芯片的转移方法，其特征在于，所述去除所述牺牲层后还包括：

通过传送头拾取所述微发光二极管芯片，使得所述连接结构与所述微发光二极管芯片分离；

将所述传送头定位于接收基板上，释放所述微发光二极管芯片，使得所述微发光二极管芯片与接收基板连接。