[发明专利]一种GaN PA驱动电路及驱动方法

说明书

本发明公开了一种GaN PA驱动电路，包括：VDD电源产生电路、功率放大器、第一负压产生电路和第二负压产生电路；VDD电源产生电路与功率放大器的正输入端连接；第一负压产生电路与通过第一电阻与功率放大器的负输入端连接；第二负压产生电路与PMOS管的S极连接；PMOS管的D极与功率表放大器的负输入端连接；PMOS管的G极通过第二电阻与第一电阻连接；第二电阻与所述PMOS之间连接功率放大器控制信号线；功率放大器控制信号线串接第三电阻。本发明公开提供了一种GaN PA驱动电路，通过控制负压产生电路来控制GaN PA的开启和关闭，通过控制PMOS的通断来进行负电源的选择，开关PA时负电源电压变化相比正电源要小，对前端电源的冲击大大减小。

技术领域

本发明涉及射频技术领域，更具体的说是涉及一种GaN PA驱动电路及驱动方法。

背景技术

目前使用的GaN PA，需要两路电源(正电源VDD、负电源VGG)，而且要求VGG电源先于VDD电源开启，晚于VDD电源关闭。目前GaN PA驱动电路，通过控制VDD的开启与关闭，来控制PA开启与关闭。

GaN PA在工作过程中，功耗大。系统设计时，PA开关频率高，也要求快速开关。VDD电压高(例如28V)，现有方案，对其进行开关时，对系统输入电源冲击大(包括VDD上并联的电容充电电流等)，增大了前端电源电路设计难度。

因此，如何提供一种降低对电源冲击的GaN PA驱动电路是本领域技术人员亟需解决的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种GaN PA驱动电路，通过控制负压产生电路来控制GaNPA的开启和关闭，通过控制PMOS的通断来进行负电源的选择，开关PA时负电源电压变化相比正电源要小，对前端电源的冲击大大减小。

为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种GaN PA驱动电路，包括：VDD电源产生电路、功率放大器、第一负压产生电路和第二负压产生电路；所述VDD电源产生电路与所述功率放大器的正输入端连接；所述第一负压产生电路与通过第一电阻与功率放大器的负输入端连接；所述第二负压产生电路与PMOS管的S极连接；所述PMOS管的D极与所述功率表放大器的负输入端连接；所述PMOS管的G极通过第二电阻与所述第一电阻连接；还包括功率放大器控制信号线，所述功率放大器控制信号线通过第三电阻连接于所述第二电阻与所述PMOS的G极之间。

通过上述的技术方案，本发明的技术效果：通过控制负压产生电路来控制GaN PA的开启和关闭，通过控制PMOS的通断来进行负电源的选择。

优选的，在上述的一种GaN PA驱动电路中，还包括：二极管；所述二极管的负极与所述第一负压产生电路的输出端连接；所述二极管的正极与所述第一电阻连接。

通过上述的技术方案，本发明的技术效果：第一负压产生电路输出端，通过二极管连接至GaN PA的负输入端，可以保证切换过程中，PA VGG端一直有负电压存在，避免出现VDD输入的正电源存在，而VGG输入的负电源没有，导致GaN PA烧毁的情况，确保了方案的可靠性。

优选的，在上述的一种GaN PA驱动电路中，所述PMOS管的G极通过所述第二电阻与所述二极管的负极连接。

优选的，在上述的一种GaN PA驱动电路中，所述功率放大器低电平打开，高电平关闭。

优选的，在上述的一种GaN PA驱动电路中，所述第一负压产生电路输出精度低于所述第二负压产生电路输出精度。

通过上述的技术方案，本发明的技术效果：第一负压产生电路，对其输出精度要求不高，选择低功耗、低成本的电路来实现。

一种GaN PA驱动方法，具体步骤如下：