[发明专利]一种GaN PA驱动电路及驱动方法有效
| 申请号： | 201911054939.5 | 申请日： | 2019-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN110752837B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 董永 | 申请（专利权）人： | 大唐半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/082 | 分类号： | H03K17/082 |
| 代理公司： | 北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11465 | 代理人： | 曹鹏飞 |
| 地址： | 100089 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 gan pa 驱动 电路 方法 | ||
1.一种GaNPA驱动电路，其特征在于，包括：VDD电源产生电路、功率放大器、第一负压产生电路和第二负压产生电路；所述VDD电源产生电路与所述功率放大器的正输入端连接；所述第一负压产生电路与通过第一电阻与功率放大器的负输入端连接；所述第二负压产生电路与PMOS管的S极连接；所述PMOS管的D极与所述功率放大器的负输入端连接；所述PMOS管的G极通过第二电阻与所述第一电阻连接；还包括功率放大器控制信号线，所述功率放大器控制信号线通过第三电阻连接于所述第二电阻与所述PMOS管的G极之间。
2.根据权利要求1所述的一种GaNPA驱动电路，其特征在于，还包括：二极管；所述二极管的负极与所述第一负压产生电路的输出端连接；所述二极管的正极与所述第一电阻连接。
3.根据权利要求2所述的一种GaNPA驱动电路，其特征在于，所述PMOS管的G极通过所述第二电阻与所述二极管的负极连接。
4.根据权利要求1所述的一种GaNPA驱动电路，其特征在于，所述功率放大器低电平打开，高电平关闭。
5.根据权利要求1所述的一种GaNPA驱动电路，其特征在于，所述第一负压产生电路输出精度低于所述第二负压产生电路输出精度。
6.一种根据权利要求1-5任一项的一种GaNPA驱动电路的驱动方法，其特征在于，具体步骤如下：
功率放大器控制信号线输入高电平，所述PMOS管的Vgs大于Vgs(th)；所述PMOS管关断；所述第一负压产生电路接入所述功率放大器的负输入端，所述功率放大器关闭；
功率放大器控制信号线输入低电平，所述PMOS管的Vgs小于Vgs(th)；所述PMOS管导通；所述第二负压产生电路接入所述功率放大器的负输入端，所述功率放大器开启。
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