[发明专利]一种母排端子及IGBT功率模块

权利要求书

1.一种母排端子，其特征在于，应用于大功率IGBT模块，所述母排端子包括发射极母排和集电极母排，所述发射极母排和所述集电极母排均包括一主体部和设置在所述主体部底部的引脚，

其中，所述引脚包括与所述主体部连接的管脚踝部，及与所述管脚踝部连接的末端部，所述管脚踝部和所述末端部呈90度；

所述管脚踝部的纵截面构造为“中”字型。

2.根据权利要求1所述的母排端子，其特征在于，所述发射极母排的主体部的纵截面及所述集电极母排的主体部的纵截面均构造为“L”型结构，所述发射极母排的主体部与所述集电极母排的主体部均包括一竖向部和一横向部。

3.根据权利要求1所述的母排端子，其特征在于，所述发射极母排和所述集电极母排之间相互平行，

且所述发射极母排主体部的竖向部与所述集电极母排主体部的竖向部朝向相反的方向，所述发射极母排主体部的横向部与所述集电极母排主体部的横向部构造为不完全重合。

4.根据权利要求1-3任一项所述的母排端子，其特征在于，所述发射极母排和所述集电极母排的引脚均为两个，且所述发射极母排的两个引脚与所述集电极母排的两个引脚彼此错开，完全没有重合。

5.根据权利要求2所述的母排端子，其特征在于，所述发射极母排主体部的横向部和所述集电极母排主体部的横向部均设有凹槽，以缓和所述发射极母排主体部的横向部与所述集电极母排主体部的横向部不完全重合所引起的剪应力传递效应。

6.根据权利要求5所述的母排端子，其特征在于，所述凹槽纵向设置在所述发射极母排主体部的横向部或所述集电极母排主体部的横向部，且所述凹槽的长度不超过所述发射极母排主体部的横向部或所述集电极母排主体部的横向部宽度的一半。

7.根据权利要求2所述的母排端子，其特征在于，所述发射极母排主体部的竖向部和所述集电极母排主体部的竖向部均设有一压槽，以便使所述发射极母排主体部的竖向部和所述集电极母排主体部的竖向部沿所述压槽弯折。

8.一种IGBT功率模块，其特征在于，包括根据权利要求1-7中任一项所述的母排端子。