[发明专利]存储器器件及其中的存储器单元以及计算设备

说明书

存储器单元包括写入端口和读取端口。写入端口包括形成存储器单元的两个交叉耦合的反相器。交叉耦合的反相器连接在第一电源信号线和第二电源信号线之间。写入端口还包括互连层中的第一局部互连线，该第一局部互连线连接至第二电源信号线。读取端口包括连接至写入端口中的存储器单元和第二电源信号线的晶体管，以及连接至第二电源信号线的互连层中的第二局部互连线。读取端口中的第二局部互连线与写入端口中的第一局部互连线分隔开。本发明的实施例还涉及存储器器件以及计算设备。

技术领域

本发明的实施例涉及存储器器件及其中的存储器单元以及计算设备。

背景技术

出于各种目的，在电子器件中使用不同类型的存储器器件。只读存储器(ROM)和随机存取存储器(RAM)是两种此类存储器器件。ROM器件允许从ROM器件读取但不能向其写入数据。当断电时，ROM器件保留其存储的数据。这样，ROM器件通常用于存储在电子器件导通时执行的程序。

与ROM器件不同，RAM器件允许将数据写入RAM器件中的选定存储器单元以及从选定存储器单元中读取数据。RAM器件的一种类型是静态随机存取存储器(SRAM)器件。SRAM器件的优势特征在于无需刷新即可保持数据。SRAM器件中的单端口存储器单元包括一组寻址信号线，寻址信号线使存储器单元能够执行写入操作或读取操作。

另一种类型的SRAM存储器单元称为双端口SRAM单元，双端口SRAM单元包括两组寻址信号线，寻址信号线使该存储器单元能够执行写入操作和读取操作。一种类型的双端口SRAM存储器单元是八晶体管(8T)SRAM存储器单元，8T SRAM存储器单元包括仅执行写入操作的写入端口和仅执行读取操作的单独的读取端口。在一些情况下，至少部分地由于某些读取操作期间产生的电流量的差异，导致两端口存储器单元中的接地反弹不平衡。例如，当从存储器单元读取逻辑“0”时在写入端口中产生的电流量可以大于当从存储器单元读取逻辑“1”时产生的电流量。不同的电流会导致写入端口中的接地反弹不平衡。

发明内容

本发明的实施例提供了一种存储器器件中的存储器单元，包括：写入端口，包括：存储单元，所述存储单元包括连接至第二交叉耦合的反相器的第一交叉耦合的反相器，其中，所述第一交叉耦合的反相器和所述第二交叉耦合的反相器连接至电源信号线；和互连层中的第一局部互连线，连接至所述电源信号线；以及读取端口，包括：晶体管，连接至所述写入端口中的所述存储单元和所述电源信号线；和所述互连层中的第二局部互连线，连接至所述电源信号线，其中，所述读取端口中的所述第二局部互连线与所述写入端口中的所述第一局部互连线分隔开。

本发明的另一实施例提供了一种存储器器件，包括：行选择电路；列选择电路；以及存储器阵列，连接至所述行选择电路和所述列选择电路，并且包括多个存储器单元，其中，每个所述存储器单元包括：写入端口，包括：存储单元，所述存储单元包括连接至第二交叉耦合的反相器的第一交叉耦合的反相器，其中，所述第一交叉耦合的反相器和所述第二交叉耦合的反相器连接在第一电源信号线和第二电源信号线之间；互连层中的第一局部互连线，连接至所述第一电源信号线；和所述互连层中的第二局部互连线，连接至所述第二电源信号线；读取端口，包括：晶体管，连接至所述写入端口中的所述存储单元和所述第二电源信号线；和所述互连层中的第三局部互连线，连接至所述第二电源信号线，其中，所述读取端口中的所述第三局部互连线与所述第二局部互连线分隔开。