[发明专利]受防护半导体装置和其引线框架

权利要求书

1.一种制品，其特征在于，包括：

管芯收容区域、多个引线和带材，所述引线安置于所述管芯收容区域的至少一侧上并且大体垂直于所述管芯收容区域的所述至少一侧，其中所述多个引线中的每一引线具有内引线末端和外引线末端，所述内引线末端与所述管芯收容区域的所述至少一侧间隔开但靠近所述管芯收容区域的所述至少一侧，所述外引线末端远离所述管芯收容区域的所述至少一侧，所述带材形成于所述管芯收容区域中并且可弯曲到大致竖直位置以用于连接到封装封盖。

2.根据权利要求1所述的制品，其特征在于，所述带材沿着所述管芯收容区域的一侧形成。

3.根据权利要求1所述的制品，其特征在于，所述带材具有0.05mm到0.20mm的宽度，以及0.50mm到2.0mm的长度。

4.根据权利要求1所述的制品，其特征在于，所述制品包括引线框架，且所述引线框架包括镀覆有非腐蚀性金属或金属合金的铜。

5.根据权利要求1所述的制品，其特征在于，所述管芯收容区域为矩形。

6.根据权利要求5所述的制品，其特征在于，所述多个引线包括安置于所述管芯收容区域的侧部中的每一侧部上的引线。

7.一种受防护半导体装置，其特征在于，包括：

引线框架，其包括管芯收容区域、多个引线和带材，所述引线安置于所述管芯收容区域的至少一侧上并且大体垂直于所述管芯收容区域的所述至少一侧，其中所述多个引线中的每一引线具有内引线末端和外引线末端，所述内引线末端与所述管芯收容区域的所述至少一侧间隔开但靠近所述管芯收容区域的所述至少一侧，所述外引线末端远离所述管芯收容区域的所述至少一侧，所述带材形成于所述管芯收容区域中并且弯曲到大致竖直位置以用于连接到封装封盖；

第一集成电路管芯，其附接到所述管芯收容区域并且电连接到所述多个引线的所述内引线末端；

包封物，其形成于所述第一管芯和所述第一管芯与所述多个内引线末端之间的电连接件上方，其中所述包封物形成主体，且其中所述带材竖直延伸到所述主体的上边缘；和

封盖，其形成于所述主体的所述上边缘上并且接触竖直带材的远端。

8.根据权利要求7所述的受防护半导体装置，其特征在于，进一步包括第二集成电路管芯，所述第二集成电路管芯附接到所述第一管芯的顶表面并且电连接到所述多个引线和所述第一管芯中的至少一个，并且覆盖有所述包封物。

9.一种组装受防护半导体装置的方法，其特征在于，包括：

提供引线框架，所述引线框架包括管芯收容区域、多个引线和带材，所述引线安置于所述管芯收容区域的至少一侧上并且大体垂直于所述管芯收容区域的所述至少一侧，其中所述多个引线中的每一引线具有内引线末端和外引线末端，所述内引线末端与所述管芯收容区域的所述至少一侧间隔开但靠近所述管芯收容区域的所述至少一侧，所述外引线末端远离所述管芯收容区域的所述至少一侧，所述带材形成于所述管芯收容区域中并且弯曲到大致竖直位置以用于连接到封装封盖；

将第一集成电路(IC)管芯附接到所述引线框架的管芯垫；

将所述第一IC管芯电连接到所述多个引线的所述内引线末端；

用模制化合物包封所述第一IC管芯、电连接件和所述引线框架，其中所述模制化合物形成主体，且其中所述多个引线的远端沿着所述主体的至少一个侧向侧暴露且竖直带材的远端在所述主体的顶表面暴露；和

在所述主体的所述顶表面上形成金属封盖，其中所述竖直带材的暴露的远端接触所述封盖。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，进一步包括：

将第二IC管芯附接到所述第一IC管芯的上表面并且将所述第二IC管芯电连接到所述第一IC管芯和所述多个引线的所述内引线末端中的至少一个，其中所述第二IC管芯覆盖有所述模制化合物。