[发明专利]升降机构有效
| 申请号： | 201911049589.3 | 申请日： | 2019-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN112750750B | 公开（公告）日： | 2022-12-02 |
| 发明（设计）人： | 郑宇现 | 申请（专利权）人： | 夏泰鑫半导体（青岛）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/687 | 分类号： | H01L21/687 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 彭辉剑;龚慧惠 |
| 地址： | 266000 山东省青岛市黄岛区*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 升降 机构 | ||
一种升降机构，其包括基体。基体具有承载面，所述基体中开设有贯穿所述承载面的容置腔体。所述升降机构还包括设置在容置腔体中的磁棒、弹簧、以及线圈。所述弹簧一端固定在所述磁棒远离所述承载面的一端，其另一端固定在容置腔体的腔壁上。线圈环绕所述磁棒，所述线圈通电时，由于电磁感应驱动所述磁棒移动从而使磁棒凸伸出所述容置腔体外或驱动所述磁棒移动压缩所述弹簧。所述升降机构结构简单且升降稳定性良好。
技术领域
本发明涉及一种升降机构，尤其是一种放置待加工产品并可对产品进行升降的升降机构。
背景技术
现有的半导体元件的制造过程中，例如以芯片为例，通常需要在单一晶片上形成数百个甚至上百万个的电子元件以及复杂精细的导电线路。随着芯片的小型化、集成化，对芯片的制造提出了更高的要求。芯片的加工过程中需要借助一定的承载基台或升降基台放置硅晶片以便更好的对硅晶片进行表面镀膜、蚀刻等工艺。
发明内容
鉴于此，有必要提供一种升降机构，其结构简单。
一种升降机构，其包括：
基体，其具有承载面，所述基体中开设有贯穿所述承载面的容置腔体；
磁棒，设置在所述容置腔体中；
弹簧，设置在所述容置腔体中，所述弹簧一端固定在所述磁棒远离所述承载面的一端，其另一端固定在容置腔体的腔壁上；以及
线圈，设置在所述容置腔体中且环绕所述磁棒，所述线圈通电时，由于电磁感应驱动所述磁棒移动从而使磁棒凸伸出所述容置腔体外或驱动所述磁棒移动压缩所述弹簧。
所述升降机构结构简单且升降稳定性良好。
附图说明
图1是本发明一实施方式的升降机构的剖面示意图。
图2A为升降机构的工作流程示意图一：等待产品到来的状态。
图2B为升降机构的工作流程示意图二：产品(硅晶片)达到升降机构上方。
图2C为升降机构的工作流程示意图三：磁棒移动并承载硅晶片。
图2D为升降机构的工作流程示意图四：硅晶片落在升降机构的承载面上以进行等离子蚀刻。
图2E为升降机构的工作流程示意图五：等离子蚀刻后硅晶片被磁棒顶起。
图2F为升降机构的工作流程示意图六：硅晶片被从升降机构上取走。
图2G为升降机构的工作流程示意图七：再次等待产品到来的状态。
图3为一实施例的磁棒的剖面示意图。
图4为机械手臂的俯视示意图。
主要元件符号说明
升降机构 100
基体 10
承载面 11
容置腔体 13
开口部 131
中腔 133
底腔 135
线圈 40
弹簧 30
第一端 31
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
