[发明专利]升降机构有效
| 申请号： | 201911049589.3 | 申请日： | 2019-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN112750750B | 公开（公告）日： | 2022-12-02 |
| 发明（设计）人： | 郑宇现 | 申请（专利权）人： | 夏泰鑫半导体（青岛）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/687 | 分类号： | H01L21/687 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 彭辉剑;龚慧惠 |
| 地址： | 266000 山东省青岛市黄岛区*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 升降 机构 | ||
1.一种升降机构，其特征在于：其包括：
基体，其具有承载面，所述基体中开设有贯穿所述承载面的容置腔体；
磁棒，设置在所述容置腔体中；
弹簧，设置在所述容置腔体中，所述弹簧一端固定在所述磁棒远离所述承载面的一端，其另一端固定在容置腔体的腔壁上；以及
线圈，设置在所述容置腔体中且环绕所述磁棒，所述线圈通电时，由于电磁感应驱动所述磁棒移动从而使磁棒凸伸出所述容置腔体外或驱动所述磁棒移动压缩所述弹簧；
所述升降机构用于放置产品以对产品进行等离子体蚀刻。
2.如权利要求1所述的升降机构，其特征在于：
所述线圈被施加正向电压时，所述磁棒移动拉伸弹簧从而凸伸出所述容置腔体外，所述线圈被施加负向电压时，所述磁棒移动压缩弹簧从而伸入容置腔体中；或者
所述线圈被施加负向电压时，所述磁棒移动拉伸弹簧从而凸伸出容置腔体外，所述线圈被施加正向电压时，所述磁棒移动压缩弹簧从而伸入容置腔体中。
3.如权利要求1所述的升降机构，其特征在于：所述升降机构用于放置在等离子体蚀刻的腔室中。
4.如权利要求3所述的升降机构，其特征在于：所述基体为金属材质。
5.如权利要求4所述的升降机构，其特征在于：所述升降机构还包括覆盖所述承载面的静电吸附卡盘，所述静电吸附卡盘开设有与所述容置腔体对准连通的通孔，所述静电吸附卡盘用于放置待加工的产品，所述静电吸附卡盘为陶瓷材质。
6.如权利要求4所述的升降机构，其特征在于：所述容置腔体中设置有陶瓷材质的隔离件，所述隔离件用以隔绝等离子体接触所述容置腔体的腔壁。
7.如权利要求6所述的升降机构，其特征在于：所述隔离件为中空的筒状，所述隔离件围绕所述磁棒和所述弹簧。
8.如权利要求7所述的升降机构，其特征在于：所述隔离件被所述线圈围绕。
9.如权利要求4所述的升降机构，其特征在于：所述磁棒的表面包覆有绝缘层以隔绝等离子体接触所述磁棒。
10.如权利要求4所述的升降机构，其特征在于：所述弹簧为绝缘材质以避免等离子体与所述弹簧反应。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
