[发明专利]存储装置及其操作方法

说明书

存储装置及其操作方法。本文提供了一种操作存储器装置的方法，该存储器装置被配置为对联接到所选字线的第一存储器单元执行编程操作。该方法包括以下步骤：在已执行对第一存储器单元的编程操作之后，确定联接到第一存储器单元所联接至的同一位线并且联接到与所选字线相邻的字线的第二存储器单元的阈值电压是否对应于擦除状态。该方法还包括以下步骤：当第二存储器单元的阈值电压对应于擦除状态时，对第一存储器单元施加比编程操作期间最后施加的编程电压高预设电压的附加编程电压。

技术领域

本公开的各种实施方式总体上涉及电子装置，更具体地，涉及一种存储装置以及操作该存储装置的方法。

背景技术

通常，存储装置在主机装置(例如，计算机或智能电话)的控制下存储数据。存储装置可包括被配置为存储数据的存储器装置以及被配置为控制存储器装置的存储控制器。存储器装置被大体表征为易失性存储器装置或非易失性存储器装置。

易失性存储器装置只有在被供电时才存储数据，并且当电源中断时所存储的数据丢失。易失性存储器装置的示例包括静态随机存取存储器(SRAM)和动态随机存取存储器(DRAM)。

非易失性存储器装置即使在没有电源的情况下也保持所存储的数据。非易失性存储器装置的示例包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)和闪存。

发明内容

本公开的各种实施方式涉及一种具有改进的可靠性的存储装置以及操作该存储装置的方法。

本公开的实施方式可提供一种操作存储器装置的方法，该存储器装置被配置为对联接到所选字线的第一存储器单元执行编程操作。该方法包括以下步骤：在已执行对第一存储器单元的编程操作之后，确定联接到第一存储器单元所联接至的相同位线并且联接到与所选字线相邻的字线的第二存储器单元的阈值电压是否对应于擦除状态。该方法还包括以下步骤：当第二存储器单元的阈值电压对应于擦除状态时，对第一存储器单元施加比编程操作期间最后施加的编程电压高预设电压的附加编程电压。

本公开的实施方式可提供一种存储器装置，该存储器装置包括：存储器单元阵列，其包括联接到所选字线的第一存储器单元；以及外围电路，其被配置为对第一存储器单元执行编程操作。该存储器装置还包括控制逻辑，该控制逻辑被配置为在已执行编程操作之后，如果联接到第一存储器单元所联接至的相同位线并且联接到与所选字线相邻的字线的第二存储器单元的阈值电压对应于擦除状态，则控制外围电路对第一存储器单元施加比编程操作期间最后施加的编程电压高预设电压的附加编程电压。

本公开的实施方式可提供一种被配置为控制存储器装置的存储控制器。该存储控制器包括正常编程操作控制器，该正常编程操作控制器被包括在存储器装置中并被配置为提供对联接到所选字线的第一存储器单元执行正常编程操作的正常编程命令，并且被配置为当正常编程操作完成时，获得包括关于正常编程操作的信息的正常编程完成信息。该存储控制器还包括附加编程操作控制器，该附加编程操作控制器被配置为基于正常编程完成信息来确定作为当联接到第一存储器单元所联接至的相同位线的第二存储器单元的阈值电压对应于擦除状态时要执行附加编程操作的存储器单元的附加编程单元，并且提供对附加编程单元执行附加编程操作的附加编程命令。

附图说明

图1是示出根据本公开的实施方式的存储装置的图。

图2是示出图1的存储器装置的配置的图。

图3是示出图2的存储块的结构的图。

图4是示出根据本公开的实施方式的取决于存储器单元中可存储的位数的阈值电压分布的图。

图5是示出根据本公开的实施方式的当与编程的存储器单元相邻的单元处于编程状态时编程的存储器单元的阈值电压分布的变化的图。