[发明专利]存储装置及其操作方法

权利要求书

1.一种操作存储器装置的方法，该存储器装置被配置为对联接到所选字线的第一存储器单元执行编程操作，该方法包括以下步骤：

在已执行对所述第一存储器单元的编程操作之后，确定联接到所述第一存储器单元所联接至的同一位线并且联接到与所述所选字线相邻的字线的第二存储器单元的阈值电压是否对应于擦除状态；以及

当所述第二存储器单元的阈值电压对应于所述擦除状态时，对所述第一存储器单元施加比在所述编程操作期间最后施加的编程电压高预设电压的附加编程电压。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在对所述第一存储器单元执行编程操作之前，对所述第二存储器单元执行编程操作。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，施加到所述第一存储器单元的所述附加编程电压是基于在所述编程操作期间最后施加的编程电压的编程开始电压、阶跃电压和编程脉冲计数的。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，对所述第一存储器单元进行编程的步骤包括将所述第一存储器单元编程为除了所述擦除状态之外的多个编程状态中的任一个。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，确定所述第二存储器单元的阈值电压是否对应于所述擦除状态的步骤包括以下步骤：

将附加验证电压施加到相邻字线；以及

将高于所述附加验证电压的通过电压施加到所述相邻字线以外的字线。

6.根据权利要求3所述的方法，其中，将所述附加编程电压施加到所述第一存储器单元的步骤包括在所述附加编程电压被施加到所述所选字线的同时将编程使能电压施加到所述同一位线。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述附加编程电压施加到所述第一存储器单元的步骤包括以下步骤：

确定编程操作是否为与多个编程状态当中具有最高阈值电压的编程状态对应的编程操作；以及

当编程操作被确定为与最高编程状态对应的编程操作时，施加所述附加编程电压。

8.一种存储器装置，该存储器装置包括：

存储器单元阵列，该存储器单元阵列包括联接到所选字线的第一存储器单元；

外围电路，该外围电路被配置为对所述第一存储器单元执行编程操作；以及

控制逻辑，该控制逻辑被配置为：在已执行所述编程操作之后，如果联接到所述第一存储器单元所联接至的同一位线并且联接到与所述所选字线相邻的字线的第二存储器单元的阈值电压对应于擦除状态，则控制所述外围电路对所述第一存储器单元施加比在所述编程操作期间最后施加的编程电压高预设电压的附加编程电压。

9.根据权利要求8所述的存储器装置，其中，按照增量阶跃脉冲编程ISPP方式执行所述编程操作。

10.根据权利要求8所述的存储器装置，其中，所述控制逻辑被配置为基于在所述编程操作期间最后施加的编程电压的编程开始电压、阶跃电压和编程脉冲计数来操作所述附加编程电压。

11.根据权利要求8所述的存储器装置，其中，所述第一存储器单元被编程为除了所述擦除状态之外的多个编程状态中的任一个。

12.根据权利要求8所述的存储器装置，其中，在对所述第一存储器单元执行编程操作之前，对所述第二存储器单元执行编程操作。

13.根据权利要求8所述的存储器装置，其中，所述控制逻辑被配置为在所述附加编程电压被施加到所述第一存储器单元的同时将编程使能电压施加到所述同一位线。

14.根据权利要求8所述的存储器装置，其中，所述控制逻辑被配置为：当所述第一存储器单元被编程为基于存储器单元的阈值电压而彼此分离的多个编程状态当中与最高阈值电压对应的编程状态时，将所述附加编程电压施加到所述第一存储器单元。