[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示装置有效
| 申请号: | 201911043595.8 | 申请日: | 2019-10-30 |
| 公开(公告)号: | CN110649086B | 公开(公告)日: | 2022-05-13 |
| 发明(设计)人: | 海晓泉 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G06V40/12 |
| 代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 杨广宇 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 阵列 及其 制造 方法 显示装置 | ||
本申请公开了一种阵列基板及其制造方法、显示装置,属于显示技术领域。所述阵列基板包括:衬底基板、有机发光二极管OLED、用于指纹识别的光电转换层以及滤光层;所述光电转换层、所述滤光层和OLED均位于所述衬底基板的同侧,且所述光电转换层与所述滤光层沿远离所述衬底基板的方向依次排布,所述滤光层用于透过的光的最大波长小于或等于600纳米。本申请解决了指纹识别的准确度较低的问题,提高了指纹识别的准确度,本申请用于阵列基板。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,特别涉及一种阵列基板及其制造方法、显示装置。
背景技术
随着显示技术的发展,越来越多的显示装置集成有指纹识别功能。
集成有指纹识别功能的显示装置中,阵列基板通常包括:有机发光二极管(英文:OrganicLight-Emitting Diode;简称:OLED)和用于指纹识别的光电转换层。其中,显示装置在指纹识别时,OLED能够向显示装置的显示侧发光,此时,若用户的手指触摸显示装置的显示侧,则OLED发出的光会被手指反射回用于指纹识别的光电转换层。光电转换层可以基于被手指反射回的光,生成用于指纹识别的电信号,以便于后续的指纹识别。
但是,通常显示装置的环境光也会通过多种方式射向用户的手指,并在用户的手指中激发出射向光电转换层的色素光,该色素光会对指纹识别造成干扰,影响指纹识别的准确度。
发明内容
本申请提供了一种阵列基板及其制造方法、显示装置,可以解决指纹识别的准确度较低的问题,所述技术方案如下:
一方面,提供了一种阵列基板,所述阵列基板包括:衬底基板、有机发光二极管OLED、用于指纹识别的光电转换层以及滤光层;
所述光电转换层、所述滤光层和OLED均位于所述衬底基板的同侧,且所述光电转换层与所述滤光层沿远离所述衬底基板的方向依次排布,所述滤光层用于透过的光的最大波长小于或等于600纳米。
可选地,所述滤光层用于透过的光的波长的范围为480纳米至580纳米。
可选地,所述滤光层的材质包括树脂;
或者,所述滤光层包括:多个第一膜层和多个第二膜层;其中,在所述滤光层中,所述第一膜层和所述第二膜层沿远离所述衬底基板的方向交替叠加,所述第一膜层的折射率大于所述第二膜层的折射率。
可选地,当所述滤光层包括所述多个第一膜层和所述多个第二膜层时,所述第一膜层的材质包括:五氧化三钛,所述第二膜层的材质包括:二氧化硅。
可选地,所述阵列基板还包括:辅助基板,且所述光电转换层、所述滤光层、所述辅助基板和所述OLED沿远离所述衬底基板的方向依次排布。
可选地,所述阵列基板包括:至少一个第一绝缘层、至少一个第二绝缘层和至少一个第三绝缘层;
所述第一绝缘层位于所述光电转换层和所述辅助基板之间,所述第二绝缘层位于所述辅助基板和所述OLED的发光层之间,所述第三绝缘层位于所述OLED的发光层远离所述衬底基板的一侧;
所述辅助基板、所述至少一个第一绝缘层、所述至少一个第二绝缘层和所述至少一个第三绝缘层中,至少一个结构为所述滤光层。
可选地,所述阵列基板还包括:光学层;
所述光学层位于所述光电转换层与所述辅助基板之间。
可选地,所述光电转换层与所述OLED沿远离所述衬底基板的方向依次排布。
可选地,所述阵列基板包括:至少一个第四绝缘层和至少一个第五绝缘层;
所述第四绝缘层位于所述光电转换层和所述OLED的发光层之间,所述第五绝缘层位于所述OLED的发光层远离所述衬底基板的一侧;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





