[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示装置有效
| 申请号: | 201911043595.8 | 申请日: | 2019-10-30 | 
| 公开(公告)号: | CN110649086B | 公开(公告)日: | 2022-05-13 | 
| 发明(设计)人: | 海晓泉 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 | 
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G06V40/12 | 
| 代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 杨广宇 | 
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 阵列 及其 制造 方法 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括:衬底基板、有机发光二极管OLED、用于指纹识别的光电转换层以及滤光层;
所述光电转换层、所述滤光层和OLED均位于所述衬底基板的同侧,且所述光电转换层与所述滤光层沿远离所述衬底基板的方向依次排布,所述滤光层用于透过的光的最大波长小于或等于600纳米,以减少色素光对所述光电转换层进行指纹识别的干扰,所述色素光是指射向手指的环境光激发手指发出的光;
其中,所述滤光层的材质包括:树脂,且所述树脂的材质与绿色色阻的材质相同;或者,所述滤光层包括:通过溅射方式形成的多个第一膜层和多个第二膜层,且在所述滤光层中,所述第一膜层和所述第二膜层沿远离所述衬底基板的方向交替叠加,所述第一膜层的折射率大于所述第二膜层的折射率;
所述光电转换层与所述OLED均位于所述衬底基板上,且所述光电转换层与所述OLED沿远离所述衬底基板的方向依次排布;
所述阵列基板包括:至少一个第四绝缘层和至少一个第五绝缘层;所述第四绝缘层位于所述光电转换层和所述OLED的发光层之间,所述第五绝缘层位于所述OLED的发光层远离所述衬底基板的一侧;所述至少一个第四绝缘层和所述至少一个第五绝缘层中,至少一个结构为所述滤光层;
所述OLED包括:沿远离所述衬底基板的方向依次排布的第一OLED电极、发光层和第二OLED电极;所述阵列基板还包括:沿远离所述衬底基板的方向依次排布的光电驱动电路、第三钝化层、第一电极、第二电极、第二覆盖层、第二平坦层、第三电极、像素界定层、支撑结构、封装层、第一光学胶OCA层、偏光和触控层、第二OCA层以及盖板,与所述光电驱动电路位于同层的OLED驱动电路,与所述第一电极位于同层的连接电极,且所述第三电极与所述第一OLED电极位于同层,所述光电转换层位于所述第一电极与所述第二电极之间;
所述第四绝缘层包括所述第二覆盖层、所述第二平坦层和所述像素界定层;所述第五绝缘层包括所述封装层、所述第一OCA层、所述偏光和触控层中的绝缘层、所述第二OCA层和所述盖板。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述滤光层用于透过的光的波长的范围为480纳米至580纳米。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,当所述滤光层包括所述多个第一膜层和所述多个第二膜层时,所述第一膜层的材质包括:五氧化三钛,所述第二膜层的材质包括:二氧化硅。
4.根据权利要求1至3任一所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括:光学层;所述光学层位于所述光电转换层与所述OLED之间。
5.一种阵列基板的制造方法,其特征在于,所述方法用于制造权利要求1至4任一所述的阵列基板,所述方法包括:
在衬底基板上形成有机发光二极管OLED、用于指纹识别的光电转换层以及滤光层;
其中,所述光电转换层、所述滤光层均位于所述衬底基板上,且沿远离所述衬底基板的方向依次排布,所述滤光层用于透过的光的最大波长小于或等于600纳米。
6.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括权利要求1至4任一所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





