[发明专利]面板及其制造方法

说明书

本发明公开了一种用于制造一面板的方法，包括下述步骤：提供一基板；在该基板上形成一第一透明导电层；以具有低还原能力的一气体的一等离子体处理该第一透明导电层；及在该第一透明导电层上形成一第一绝缘层来制得一面板，其中该面板的一穿透度大于或等于90％且小于100％。本发明还提供由本发明的上述方法制造的一面板。

技术领域

本发明涉及一种面板及其制造方法领域，更具体地，本发明涉及具有高穿透度的一面板及其制造方法。

背景技术

现在，多数电子装置具有一或以上个面板。至少一透明导电层被使用在这些面板中，其通常包括一透明导电氧化物，例如一金属氧化物。然而，在金属氧化物中的金属经常被还原，导致面板的穿透度下降。

因此，希望提供一面板及其制造方法来降低上述问题。

发明内容

本发明提供一种用于制造一面板的方法，包括下述步骤：提供一基板；在基板上形成一第一透明导电层；以具有低还原能力的一气体的一等离子体处理第一透明导电层；及在第一透明导电层上形成一第一绝缘层来制得一面板，其中面板的一穿透度大于或等于90％且小于100％。

本发明也提供由本发明的上述方法制造的一面板，其中面板包括：一基板；一第一透明导电层，设置于基板上；及一第一绝缘层，设置于第一透明导电层上，其中以具有低还原能力的一气体的一等离子体处理第一透明导电层，而面板的一穿透度大于或等于90％且小于100％。

本发明还提供一电子装置，其包括上述面板。

从下列的详细描述并结合附图，本发明的其他的新颖特征将变得更为清楚。

附图说明

图1A-1D为本发明一实施例揭示用于形成面板的过程的剖面图；

图2A-2C为本发明另一实施例揭示用于形成面板的过程的剖面图。

符号说明：

11 基板

12 栅极

13 第二绝缘层

15 半导体层

16 第一透明导电层

17 第一绝缘层

18 第二透明导电层

141 第一电极

142 第二电极

151 底层

152 顶层

T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7、T8 厚度

TFT 电晶体

具体实施方式