[发明专利]面板及其制造方法在审
| 申请号： | 201911041367.7 | 申请日： | 2019-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN111223814A | 公开（公告）日： | 2020-06-02 |
| 发明（设计）人： | 陈少宏 | 申请（专利权）人： | 群创光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴梦圆 |
| 地址： | 中国台湾新竹科学工*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 面板 及其 制造 方法 | ||
1.一种用于制造一面板的方法，其特征在于，包括下述步骤：
提供一基板；
在该基板上形成一第一透明导电层；
以具有低还原能力的一气体的一等离子体处理该第一透明导电层；及
在该第一透明导电层上形成一第一绝缘层，其中该面板的一穿透度大于或等于90％且小于100％。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该面板的该穿透度大于或等于93％且小于或等于97％。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该气体的还原能力较H2的还原能力弱。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，其中该气体包括N2O、Ar、O2、N2、He、或其组合。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该第一透明导电层的厚度小于该第一绝缘层的厚度。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括在提供该基板的该步骤及在该基板上形成该第一透明导电层的该步骤之间，形成一第二绝缘层的步骤。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括在该第一透明导电层上形成该第一绝缘层的该步骤之后，在该第一绝缘层上形成一第二透明导电层的步骤。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括在该基板上形成该第一透明导电层的该步骤之前或之后，在该基板上形成一电晶体的步骤，其中该电晶体与该第一透明导电层电性连接。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该第一透明导电层的一材料包括ITO、IZO、ITZO、IGZO、AZO、或其组合。
10.一面板，其特征在于，包括：
一基板；
一第一透明导电层，设置于该基板上；及
一第一绝缘层，设置于该第一透明导电层上；
其中以具有低还原能力的一气体的一等离子体处理该第一透明导电层，而该面板的一穿透度大于或等于90％且小于100％。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
