[发明专利]COF封装方法有效
申请号: | 201911038471.0 | 申请日: | 2019-10-29 |
公开(公告)号: | CN110739238B | 公开(公告)日: | 2021-03-19 |
发明(设计)人: | 奚耀鑫 | 申请(专利权)人: | 颀中科技(苏州)有限公司;西安奕斯伟材料科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/603 | 分类号: | H01L21/603 |
代理公司: | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 苏婷婷 |
地址: | 215000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | cof 封装 方法 | ||
本发明揭示了一种COF封装方法,所述方法包括:S1、提供一待封装柔性线路基板,在所述柔性线路基板的线路面上形成若干个第一引脚;以及提供一待封装芯片,并在封装芯片上形成若干个第二引脚;S2、使得并保持柔性线路基板的线路面始终朝下放置,以及使得并保持封装芯片设置有配合第一引脚的第二引脚的面始终朝上放置,并使得柔性线路基板和封装芯片上互相配合的第一引脚和第二引脚相对设置;S3、对柔性线路基板施加一自上至下的压力,和/或对所述封装芯片施加一自下至上的压力,同时高温加热以使得第一引脚和第二引脚采用融合共晶的方式进行焊接。本发明提升产品良率及稳定度。
技术领域
本发明属于半导体制造领域,尤其涉及一种COF封装方法。
背景技术
随着集成电路密集度的增加,芯片的封装技术也越来越多样化,由于覆晶封装技术(FlipChipInterconnectTechnology,简称FC)具有缩小芯片封装体积及缩短信号传输路径等优点,目前已经广泛应用于芯片封装领域。
覆晶封装技术是将裸晶(bardie)以表面朝下的方式与基板进行接合。具体过程为,在芯片的表面形成凸块(bump),通过热压合等技术,使芯片上的多个凸块与线路基板上的线路电性连接及机械性连接,之后即可通过线路基板的内部线路实现芯片与外界电子装置的电性连接。
在液晶显示器电路封装领域,目前采用的较多的是卷带式薄膜覆晶封装(Chiponfilm,简称COF),这种覆晶封装技术是采用柔性线路基板作为封装芯片的载体,即采用柔性线路基板作为上述线路基板,之后通过热压合技术,将芯片上的凸块与柔性线路基板的内引脚接合。
现有技术中,芯片上的凸块与柔性线路基板的内引脚的结合过程中,柔性线路基板引脚向上,芯片的凸块向下,芯片通过热压头吸附移动至柔性线路基板正上方后,热压头对芯片加热并施加压力,以使芯片上的凸块与柔性线路基板的内引脚进行焊接。
该种封装方法进行过程中,由于热压头机构有许多金属传运机构组成,如此,热压头在运动过程中,其金属机构摩擦、线材摩擦会产生许多金属和非金属的Particle(中文释义,微小的颗粒),这些Particle有很大机率会落到柔性线路基板引脚上和引脚之间,如此,凸块与引脚焊接后会因为这些Particle造成引脚接触不良或引脚间的短路;导致芯片的电性不良;进一步的,因为有些Particle很细小,一般的电性测试有机率测试不出来,当该产品结合到显示屏后经过一些绕折或环境温湿度的影响,金属的Particle最终造成引脚间的短路,非金属的卤素质Particle最终造成金属迁移而短路,或是引脚上的Particle导致接合强度不足而断路,如此,造成极大的损失。
发明内容
本发明的目的在于提供一种解决上述技术问题的COF封装方法。
为了实现上述发明目的,本发明一实施方式提供一种COF封装方法,所述方法包括:S1、提供一待封装柔性线路基板,在所述柔性线路基板的线路面上形成若干个第一引脚;以及提供一待封装芯片,并在封装芯片上形成若干个第二引脚;
S2、使得并保持柔性线路基板的线路面始终朝下放置,以及使得并保持封装芯片设置有配合第一引脚的第二引脚的面始终朝上放置,并使得柔性线路基板和封装芯片上互相配合的第一引脚和第二引脚相对设置;
S3、对柔性线路基板施加一自上至下的压力,和/或对所述封装芯片施加一自下至上的压力,同时高温加热以使得第一引脚和第二引脚采用融合共晶的方式进行焊接。
作为本发明一实施方式的进一步改进,步骤S3具体包括:
保持柔性线路基板位置固定,对所述封装芯片施加一自下至上的压力,同时高温加热封装芯片以使得第一引脚和第二引脚采用融合共晶的方式进行焊接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造