[发明专利]COF封装方法有效
| 申请号: | 201911038471.0 | 申请日: | 2019-10-29 | 
| 公开(公告)号: | CN110739238B | 公开(公告)日: | 2021-03-19 | 
| 发明(设计)人: | 奚耀鑫 | 申请(专利权)人: | 颀中科技(苏州)有限公司;西安奕斯伟材料科技有限公司 | 
| 主分类号: | H01L21/603 | 分类号: | H01L21/603 | 
| 代理公司: | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 苏婷婷 | 
| 地址: | 215000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | cof 封装 方法 | ||
1.一种COF封装方法,其特征在于,所述方法包括:
S1、提供一待封装柔性线路基板,在所述柔性线路基板的线路面上形成若干个第一引脚;以及提供一待封装芯片,并在封装芯片上形成若干个第二引脚;
S2、使得并保持柔性线路基板的线路面始终朝下放置,以及使得并保持封装芯片设置有配合第一引脚的第二引脚的面始终朝上放置,并使得柔性线路基板和封装芯片上互相配合的第一引脚和第二引脚相对设置;
S3、保持柔性线路基板位置固定,对所述封装芯片施加一自下至上的压力,同时高温加热封装芯片以使得第一引脚和第二引脚采用融合共晶的方式进行焊接。
2.根据权利要求1所述的COF封装方法,其特征在于,所述方法还包括:
提供一处于封装芯片下方的热压头,将所述热压头的吸附面朝上设置;
通过热压头的吸附面吸附封装芯片未设置第二引脚的面;
驱动热压头运动,以提供给所述封装芯片一自下至上的压力,同时高温加热封装芯片。
3.据权利要求2所述的COF封装方法,其特征在于,步骤S3后,所述方法还包括:解除所述吸附面的吸附力,使热压头脱离所述封装芯片并移除。
4.据权利要求1所述的COF封装方法,其特征在于,所述方法还包括:提供一处于柔性线路基板上方的基座平台,将所述柔性线路基板未设置第一引脚的面固定在所述基座平台上。
5.据权利要求4所述的COF封装方法,其特征在于,所述基座平台由透明且耐高温的材质构成。
6.据权利要求5所述的COF封装方法,其特征在于,所述基座平台由石英材质构成。
7.据权利要求4所述的COF封装方法,其特征在于,所述方法还包括:提供一处于基座平台上方的CCD影像装置。
8.据权利要求7所述的COF封装方法,其特征在于,步骤S2还包括:通过CCD影像装置透视柔性线路基板,监测柔性线路基板上的第一引脚是否与封装芯片上的第二引脚相对设置,若是,继续进行下一步操作,若否,调整柔性线路基板和/或封装芯片,待第一引脚和第二引脚相对设置时,再进行下一步操作。
9.权利要求1所述的COF封装方法,其特征在于,步骤S3后,所述方法还包括:在柔性线路基板和封装芯片之间进行塑封形成半封装体;对半封装体进行切割形成单体COF封装结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





