[发明专利]一种像素电极结构

说明书

一种像素电极结构，包括主像素电极和次像素电极，所述主像素电极中的第一横边框与第一竖边框之间设有第一切断口，第一横边框与第二竖边框之间设有第二切断口，所述次像素电极中的第二横边框与第三竖边框之间设有第三切断口，第二横边框与第四竖边框之间设有第四切断口；通过改变8Domain主像素边框和次像素边框的结构，将主像素边框和次像素边框的各拐角处均做断开的结构处理，改善了在8Domain像素电极阵列中，上下两相邻8Domain像素电极之间在各子主像素边框拐角处或次像素边框拐角处的配向暗纹，提高了液晶效率，从而提高了显示面板的穿透率。

技术领域

本申请涉及显示面板技术领域，尤其涉及一种像素电极结构。

背景技术

液晶显示面板的穿透率主要受到三个物理因子的影响，分别为穿透区膜层的总吸收透射率、绝对开口率、以及液晶效率。产品技术精进时，如何在不改变膜层吸收和开口区大小的前提下，利用像素电极图案的设计来提高液晶效率成为提升穿透率的重要途径。理论上，像素电极在通电后按照该像素电极的图案产生相应的电场，从而诱导不同区域内的液晶分子倒向不同的方向。显然，在具体应用中，像素电极会受到不同客观条件的影响而达不到理想的效果，如图1所示，现有VA型液晶显示面中的8Domain像素电极阵列，在单一的像素电极10中由于电场单一，液晶分子排列简单，容易达到预设状态，但在上下相邻的两个像素电极10之间，如图2和图6所示，尤其上下相邻的两个像素电极中的主像素电极与次像素电极接近位置的边角处，由于存在这液晶显示面板中数据走线、DBS电极、主像素电极、次像素电极、以及其它公共电极电场的影响，不利于液晶暗纹的收敛，降低了液晶效率，从而降低了显示面板的穿透率。

发明内容

本申请实施例提供一种像素电极结构，以解决8Domain像素电极阵列中，上下相邻的两个像素电极之间电场复杂，影响液晶暗纹的收敛，降低了显示面板穿透率的问题。

本申请实施例提供了一种像素电极结构，包括主像素电极和次像素电极；

所述主像素电极包括主像素边框，所述主像素边框包括位于所述主像素电极内远离所述次像素电极一侧的第一横边框、及分别位于所述第一横边框两端向所述次像素电极方向延伸的第一竖边框和第二竖边框，所述第一横边框与所述第一竖边框之间设有第一切断口，所述第一横边框与所述第二竖边框之间设有第二切断口；

所述次像素电极包括次像素边框，所述次像素边框包括位于所述次像素电极内远离所述主像素电极一侧的第二横边框、及分别位于所述第二横边框两端向所述主像素电极方向延伸的第三竖边框和第四竖边框，所述第二横边框与所述第三竖边框之间设有第三切断口，所述第二横边框与所述第四竖边框之间设有第四切断口。

根据本申请一优选实施例，所述主像素电极包括设于所述主像素边框内的主电极图案，所述主电极图案至少包括一个第一狭缝和一个第二狭缝，所述第一狭缝与所述第一切断口连通且所述第一狭缝的轴线与所述第一切断口的轴线共线，所述第二狭缝与所述第二切断口连通且所述第二狭缝的轴线与所述第二切断口的轴线共线。

根据本申请一优选实施例，所述第一切断口的宽度与所述第一狭缝的宽度相等。

根据本申请一优选实施例，所述第二切断口的宽度与所述第二狭缝的宽度相等。

根据本申请一优选实施例，所述第一切断口的轴线垂直于所述第二切断口的轴线。

根据本申请一优选实施例，所述次像素电极包括设于所述次像素边框内的次电极图案，所述次电极图案至少包括一个第三狭缝和一个第四狭缝，所述第三狭缝与所述第三切断口连通且所述第三狭缝的轴线与所述第三切断口的轴线共线，所述第四狭缝与所述第四切断口连通且所述第四狭缝的轴线与所述第四切断口的轴线共线。

根据本申请一优选实施例，所述第三切断口的宽度与所述第三狭缝的宽度相等。

根据本申请一优选实施例，所述第四切断口的宽度与所述第四狭缝的宽度相等。