[发明专利]一种像素电极结构在审
| 申请号： | 201911036519.4 | 申请日： | 2019-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN110703517A | 公开（公告）日： | 2020-01-17 |
| 发明（设计）人： | 曹武 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1343 | 分类号： | G02F1/1343;G02F1/1337 |
| 代理公司： | 44570 深圳紫藤知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李新干 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 边框 横边框 竖边框 次像素 切断口 主像素 次像素电极 主像素电极 边框拐角 像素电极结构 像素电极阵列 结构处理 显示面板 像素电极 液晶效率 穿透率 拐角处 暗纹 断开 断口 配向 | ||
1.一种像素电极结构，其特征在于，包括主像素电极和次像素电极；
所述主像素电极包括主像素边框，所述主像素边框包括位于所述主像素电极内远离所述次像素电极一侧的第一横边框、及分别位于所述第一横边框两端向所述次像素电极方向延伸的第一竖边框和第二竖边框，所述第一横边框与所述第一竖边框之间设有第一切断口，所述第一横边框与所述第二竖边框之间设有第二切断口；
所述次像素电极包括次像素边框，所述次像素边框包括位于所述次像素电极内远离所述主像素电极一侧的第二横边框、及分别位于所述第二横边框两端向所述主像素电极方向延伸的第三竖边框和第四竖边框，所述第二横边框与所述第三竖边框之间设有第三切断口，所述第二横边框与所述第四竖边框之间设有第四切断口。
2.如权利要求1所述的像素电极结构，其特征在于，所述主像素电极包括设于所述主像素边框内的主电极图案，所述主电极图案至少包括一个第一狭缝和一个第二狭缝，所述第一狭缝与所述第一切断口连通且所述第一狭缝的轴线与所述第一切断口的轴线共线，所述第二狭缝与所述第二切断口连通且所述第二狭缝的轴线与所述第二切断口的轴线共线。
3.如权利要求2所述的像素电极结构，其特征在于，所述第一切断口的宽度与所述第一狭缝的宽度相等。
4.如权利要求2所述的像素电极结构，其特征在于，所述第二切断口的宽度与所述第二狭缝的宽度相等。
5.如权利要求2所述的像素电极结构，其特征在于，所述第一切断口的轴线垂直于所述第二切断口的轴线。
6.如权利要求1所述的像素电极结构，其特征在于，所述次像素电极包括设于所述次像素边框内的次电极图案，所述次电极图案至少包括一个第三狭缝和一个第四狭缝，所述第三狭缝与所述第三切断口连通且所述第三狭缝的轴线与所述第三切断口的轴线共线，所述第四狭缝与所述第四切断口连通且所述第四狭缝的轴线与所述第四切断口的轴线共线。
7.如权利要求6所述的像素电极结构，其特征在于，所述第三切断口的宽度与所述第三狭缝的宽度相等。
8.如权利要求6所述的像素电极结构，其特征在于，所述第四切断口的宽度与所述第四狭缝的宽度相等。
9.如权利要求6所述的像素电极结构，其特征在于，所述第三切断口的轴线垂直于所述第四切断口的轴线。
10.如权利要求1所述的像素电极结构，其特征在于，所述主像素电极与次像素电极设有控制组件，所述控制组件分别与所述主像素电极和所述次像素电极电性连接。
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