[发明专利]存储装置及编程存储装置中存储单元的方法

权利要求书

1.一种存储装置，包括：

一存储单元阵列，包括多个存储单元和一电容电路，这些存储单元排列为一单元串列，该单元串列耦接至一金属位线，电容电路对应于该金属位线；

一感测放大器，用于提供一感测电流至该存储单元阵列，感测放大器包括一预充电单元和一感测单元，以用于向这些存储单元的一个或多个存储单元提供一第一电流，且向该电容电路提供一第二电流；以及

一存储控制器，用于控制该感测放大器以提供该感测电流至这些存储单元的一个或多个存储单元，以在一存储器存取周期从该一个或多个存储单元存取数据，该存储控制器执行包括以下的操作：

在该存储器存取周期的一预充电阶段，通过将包含在该预充电单元的一第一晶体管偏压至一第一电压，提供一预充电电压至该感测放大器以驱动该感测放大器，使得一特定电压被提供给该存储单元阵列；

在该存储器存取周期的一第一感测阶段，提供该预充电电压至该感测放大器；及

在该存储器存取周期的一第二感测阶段，通过第一晶体管偏压至小于该第一电压的一第二电压，提供一感测电压至该感测放大器以驱动该感测放大器，使得提供至该存储单元阵列的该特定电压被维持；

其中，该预充电单元用以根据从该存储控制器所接收的一第一控制信号和一第二控制信号产生该第二电流；该感测单元用以根据从该存储控制器所接收的一第三控制信号产生该第一电流；

该第一晶体管用以根据施加到该第一晶体管的一栅极的该第一控制信号来驱动该第一电压，且用以根据施加到该第一晶体管的栅极的第二控制信号来驱动第二电压；以及

该预充电单元包含第二晶体管，该第二晶体管用以根据施加到该第二晶体管的一栅极的该第二控制信号来驱动一第二电压；其中，该第二电流根据该第一电压及该第二电压而产生。

2.根据权利要求1所述的存储装置，其中该第一电流及该第二电流之和为该感测电流。

3.根据权利要求1所述的存储装置，其中，在该存储器存取周期的该预充电阶段，该存储控制器用以控制该感测放大器以将该第一电流提供给这些存储单元的该一个或多个存储单元，且将该第二电流提供给该电容电路。

4.根据权利要求3所述的存储装置，其中，在该存储器存取周期的该预充电阶段，通过该第一电流对这些存储单元的该一个或多个存储单元进行预充电，且通过该第二电流对该电容电路进行预充电。

5.根据权利要求1所述的存储装置，其中，在该存储器存取周期的该第二感测阶段，该存储控制器用以控制该感测放大器以将该第一电流提供给这些存储单元的该一个或多个存储单元，且停止提供该第二电流至该电容电路。

6.根据权利要求5所述的存储装置，其中，在该存储器存取周期的该第二感测阶段，该第一电流相同于该感测电流。

7.根据权利要求1所述的存储装置，其中，该感测单元包括：

一第三晶体管，用以根据施加到该第三晶体管的一栅极的该第三控制信号来驱动一第三电压；

其中，该第一电流根据该第三电压而产生。

8.根据权利要求1所述的存储装置，其中该存储器存取周期的该预充电阶段、该存储器存取周期的该第一感测阶段、或该存储器存取周期的该第二感测阶段中的至少一者，持续一预选时段。

9.根据权利要求1所述的存储装置，其中该预充电电压介于0.5伏特和1.5伏特之间，该感测电压介于1伏特和2伏特之间。