[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板在审
申请号: | 201911031657.3 | 申请日: | 2019-10-28 |
公开(公告)号: | CN110867456A | 公开(公告)日: | 2020-03-06 |
发明(设计)人: | 奚苏萍 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 黄灵飞 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制备 方法 显示 面板 | ||
本发明提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板,该基板包括显示区和GOA区,阵列基板位于AA区内的有源层的厚度,大于位于GOA区内的有源层的厚度;通过将GOA区和显示区内阵列基板的有源层设置成不同的厚度,GOA区内的有源层的厚度设置的较小,有助于实现GOA区域内薄膜晶体管快速响应的需求;显示区内有源层的厚度设置的较大,可以缓解光子在有源层内的扩散,从而达到减小显示区内薄膜晶体管负偏的影响;这样对GOA区和显示区内有源层的不同厚度设置,同时满足了显示区和GOA区域内,阵列基板的不同特征需求,提高了显示面板的质量。
技术领域
本发明涉及显示领域,尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。
背景技术
GOA(Gate Driver On Array,栅极驱动集成在阵列基板上)技术由于具备可以节省栅极驱动集成电路、实现窄边框等优势,目前已经广泛的运用于面板设计当中。
在面板的显示区内,由于受到开口率的限制,黑矩阵的宽度设定在一定的范围内,无法增大,这样就导致了射入到黑矩阵边缘的光线会通过漫反射、折射等原因照射到阵列基板上;显示区内阵列基板的栅极端长时间受到负向电压,阵列基板经常受到光照,会加速薄膜晶体管的负偏。在GOA区域内,由于黑矩阵大面积遮挡,存在漏光的可能性很小;而GOA区的阵列基板为了达到快速响应的目的,通常对其有源区的厚度进行细部追究。所以,如何减小显示区内阵列基板的负偏,提高GOA区内阵列基板的响应速度,从而提高显示质量,显得尤为重要。
因此,现有显示面板存在显示区内阵列基板的负偏需要避免,GOA区内阵列基板的响应速度需要提高。
发明内容
本发明提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板,以缓解现有显示面板存在显示区内阵列基板的负偏需要避免,GOA区内阵列基板的响应速度需要提高的问题。
为解决以上问题,本发明提供的技术方案如下:
本发明提供一种阵列基板,其包括显示区和GOA区,所述阵列基板包括:
衬底;
有源层,形成于所述衬底上,图案化形成有源区;
源漏极层,形成于所述有源层上;
其中,位于所述显示区内的有源区的厚度,大于位于所述GOA区内的有源区的厚度。
在本发明提供的阵列基板中,所述阵列基板还包括在所述衬底上层叠设置的栅极层、栅极绝缘层、刻蚀阻挡层、钝化层、以及平坦化层,所述有源层位于所述栅极绝缘层和所述刻蚀阻挡层之间,所述源漏极层位于所述刻蚀阻挡层和所述钝化层之间。
在本发明提供的阵列基板中,所述阵列基板在显示区内的厚度,和在GOA区内的厚度相同。
在本发明提供的阵列基板中,位于所述显示区内的钝化层的厚度,小于位于所述GOA区内的钝化层的厚度。
在本发明提供的阵列基板中,位于所述显示区内的平坦化层的厚度,小于位于所述GOA区内的平坦化层的厚度。
在本发明提供的阵列基板中,所述阵列基板还包括在所述衬底上层叠设置的栅极绝缘层、栅极层、层间绝缘层、钝化层、以及平坦化层,所述有源层位于所述衬底和所述栅极绝缘层之间,所述源漏极层位于所述层间绝缘层和所述钝化层之间。
在本发明提供的阵列基板中,所述阵列基板在显示区内的厚度,和在GOA区内的厚度相同。
在本发明提供的阵列基板中,位于所述显示区内的层间绝缘层的厚度,小于位于所述GOA区内的层间绝缘层的厚度。
在本发明提供的阵列基板中,位于所述显示区内的钝化层的厚度,小于位于所述GOA区内的钝化层的厚度。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电半导体显示技术有限公司,未经深圳市华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911031657.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的