[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板在审

专利信息
申请号: 201911031657.3 申请日: 2019-10-28
公开(公告)号: CN110867456A 公开(公告)日: 2020-03-06
发明(设计)人: 奚苏萍 申请(专利权)人: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/77
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 黄灵飞
地址: 518132 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 阵列 及其 制备 方法 显示 面板
【说明书】:

发明提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板,该基板包括显示区和GOA区,阵列基板位于AA区内的有源层的厚度,大于位于GOA区内的有源层的厚度;通过将GOA区和显示区内阵列基板的有源层设置成不同的厚度,GOA区内的有源层的厚度设置的较小,有助于实现GOA区域内薄膜晶体管快速响应的需求;显示区内有源层的厚度设置的较大,可以缓解光子在有源层内的扩散,从而达到减小显示区内薄膜晶体管负偏的影响;这样对GOA区和显示区内有源层的不同厚度设置,同时满足了显示区和GOA区域内,阵列基板的不同特征需求,提高了显示面板的质量。

技术领域

本发明涉及显示领域,尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。

背景技术

GOA(Gate Driver On Array,栅极驱动集成在阵列基板上)技术由于具备可以节省栅极驱动集成电路、实现窄边框等优势,目前已经广泛的运用于面板设计当中。

在面板的显示区内,由于受到开口率的限制,黑矩阵的宽度设定在一定的范围内,无法增大,这样就导致了射入到黑矩阵边缘的光线会通过漫反射、折射等原因照射到阵列基板上;显示区内阵列基板的栅极端长时间受到负向电压,阵列基板经常受到光照,会加速薄膜晶体管的负偏。在GOA区域内,由于黑矩阵大面积遮挡,存在漏光的可能性很小;而GOA区的阵列基板为了达到快速响应的目的,通常对其有源区的厚度进行细部追究。所以,如何减小显示区内阵列基板的负偏,提高GOA区内阵列基板的响应速度,从而提高显示质量,显得尤为重要。

因此,现有显示面板存在显示区内阵列基板的负偏需要避免,GOA区内阵列基板的响应速度需要提高。

发明内容

本发明提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板,以缓解现有显示面板存在显示区内阵列基板的负偏需要避免,GOA区内阵列基板的响应速度需要提高的问题。

为解决以上问题,本发明提供的技术方案如下:

本发明提供一种阵列基板,其包括显示区和GOA区,所述阵列基板包括:

衬底;

有源层,形成于所述衬底上,图案化形成有源区;

源漏极层,形成于所述有源层上;

其中,位于所述显示区内的有源区的厚度,大于位于所述GOA区内的有源区的厚度。

在本发明提供的阵列基板中,所述阵列基板还包括在所述衬底上层叠设置的栅极层、栅极绝缘层、刻蚀阻挡层、钝化层、以及平坦化层,所述有源层位于所述栅极绝缘层和所述刻蚀阻挡层之间,所述源漏极层位于所述刻蚀阻挡层和所述钝化层之间。

在本发明提供的阵列基板中,所述阵列基板在显示区内的厚度,和在GOA区内的厚度相同。

在本发明提供的阵列基板中,位于所述显示区内的钝化层的厚度,小于位于所述GOA区内的钝化层的厚度。

在本发明提供的阵列基板中,位于所述显示区内的平坦化层的厚度,小于位于所述GOA区内的平坦化层的厚度。

在本发明提供的阵列基板中,所述阵列基板还包括在所述衬底上层叠设置的栅极绝缘层、栅极层、层间绝缘层、钝化层、以及平坦化层,所述有源层位于所述衬底和所述栅极绝缘层之间,所述源漏极层位于所述层间绝缘层和所述钝化层之间。

在本发明提供的阵列基板中,所述阵列基板在显示区内的厚度,和在GOA区内的厚度相同。

在本发明提供的阵列基板中,位于所述显示区内的层间绝缘层的厚度,小于位于所述GOA区内的层间绝缘层的厚度。

在本发明提供的阵列基板中,位于所述显示区内的钝化层的厚度,小于位于所述GOA区内的钝化层的厚度。

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