[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括显示区和GOA区，所述阵列基板包括：

衬底；

有源层，形成于所述衬底上，图案化形成有源区；

源漏极层，形成于所述有源层上；

其中，位于所述显示区内的有源区的厚度，大于位于所述GOA区内的有源区的厚度。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括在所述衬底上层叠设置的栅极层、栅极绝缘层、刻蚀阻挡层、钝化层、以及平坦化层，所述有源层位于所述栅极绝缘层和所述刻蚀阻挡层之间，所述源漏极层位于所述刻蚀阻挡层和所述钝化层之间。

3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板在显示区内的厚度，和在GOA区内的厚度相同。

4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，位于所述显示区内的钝化层的厚度，小于位于所述GOA区内的钝化层的厚度。

5.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，位于所述显示区内的平坦化层的厚度，小于位于所述GOA区内的平坦化层的厚度。

6.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括在所述衬底上层叠设置的栅极绝缘层、栅极层、层间绝缘层、钝化层、以及平坦化层，所述有源层位于所述衬底和所述栅极绝缘层之间，所述源漏极层位于所述层间绝缘层和所述钝化层之间。

7.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板在显示区内的厚度，和在GOA区内的厚度相同。

8.如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，位于所述显示区内的层间绝缘层的厚度，小于位于所述GOA区内的层间绝缘层的厚度。

9.如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，位于所述显示区内的钝化层的厚度，小于位于所述GOA区内的钝化层的厚度。

10.如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，位于所述显示区内的平坦化层的厚度，小于位于所述GOA区内的平坦化层的厚度。

11.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，在所述GOA区内，所述阵列基板的有源层的材料为非晶硅或铟镓锌氧化合物。

12.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：

提供基板；

在所述基板上沉积一层半导体有源层；

图案化处理所述半导体有源层，得到有源区，位于显示区内的有源区的厚度，大于位于GOA区内的有源区的厚度。

13.如权利要求12所述的制备方法，其特征在于，所述图案化处理所述半导体有源层的具体步骤包括：

采用半光罩掩膜技术，图案化处理所述半导体有源层。

14.如权利要求12所述的制备方法，其特征在于，所述图案化处理所述半导体有源层的具体步骤包括：

采用灰色调掩膜技术，图案化处理所述半导体有源层。

15.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括阵列基板，所述阵列基板包括显示区和GOA区，位于所述显示区内的有源层的厚度，大于位于所述GOA区内的有源层的厚度。