[发明专利]用于在晶片级封装工艺中控制翘曲的方法和设备

权利要求书

1.一种在晶片级封装工艺中在衬底上进行精细间距图案化的方法，包括：

通过将所述衬底斜升到第一温度且保持为所述第一温度达第一持续时间和将所述衬底斜升到第二温度且保持为所述第二温度达第二持续时间来对所述衬底执行第一翘曲校正工艺，其中所述第一温度大于所述第二温度；

在所述衬底上的聚合物层中形成通孔；

固化所述聚合物层；

通过将所述衬底斜升到第三温度且保持为所述第三温度达第三持续时间和将所述衬底斜升到第四温度且保持为所述第四温度达第四持续时间来对所述衬底执行第二翘曲校正工艺，其中所述第三温度大于所述第四温度；以及

用具有10/10μm或更小的线/空间的精细间距图案化来在所述衬底上形成再分布层。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述精细间距图案化具有5/5μm或更小的线/空间。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述精细间距图案化具有2/2μm或更小的线/空间。

4.如权利要求1所述的方法，其中在所述第二翘曲校正工艺之后，所述衬底具有500μm或更小的翘曲。

5.如权利要求4所述的方法，其中在所述第二翘曲校正工艺之后，所述衬底具有400μm或更小的翘曲。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述第一翘曲校正工艺的所述第一温度大于所述第二翘曲校正工艺的所述第三温度。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述第一翘曲校正工艺的所述第一温度近似等于所述第二翘曲校正工艺的所述第三温度。

8.如权利要求1所述的方法，其中后续第一翘曲校正工艺的后续第一温度是基于所述第一翘曲校正工艺的所述第一温度。

9.如权利要求1所述的方法，其中所述第一温度为近似在所述衬底上的所述聚合物层的玻璃转变温度。

10.如权利要求1所述的方法，其中所述第一温度、所述第二温度、所述第三温度或所述第四温度是通过线性地斜升而获得的。

11.如权利要求1所述的方法，其中当在所述第一翘曲校正工艺之前已经执行等离子体气相沉积(PVD)工艺时，所述第一温度低于所述聚合物层的玻璃转变温度。

12.如权利要求1所述的方法，其中所述衬底是由多个管芯组成的重构晶片。

13.如权利要求1所述的方法，还包括：

执行化学机械抛光(CMP)工艺以增强所述精细间距图案化。

14.一种在晶片级封装工艺中在衬底上进行精细间距图案化的方法，包括：

确定所述衬底的材料组成、厚度或先前处理；

基于所述衬底的所述材料组成、所述厚度或所述先前处理而在第一时间段内将所述衬底加热到第一温度；

将所述衬底维持为所述第一温度达第二时间段；以及

基于所述衬底的所述材料组成、所述厚度或所述先前处理而在第二时间段内将所述衬底冷却到第二温度。

15.如权利要求14所述的方法，其中所述第一温度为约150摄氏度至220摄氏度。

16.如权利要求14所述的方法，其中当所述衬底的先前处理包括物理气相沉积(PVD)工艺时，减小所述第一温度。

17.如权利要求14所述的方法，其中所述第一温度高于所述衬底的材料的玻璃转变温度。

18.如权利要求14所述的方法，其中所述第一温度为约175摄氏度。