[发明专利]表面声波滤波器件及其制造方法

说明书

本发明提供了一种表面声波滤波器件及其制造方法，先将小尺寸的压电晶圆分割成多个压电晶粒，并临时键合到大尺寸的载体晶圆上，由此可以在载体晶圆尺寸对应的大尺寸晶圆加工机台上完成表面声波滤波器件的制作过程，即使得表面声波滤波器件的制作工艺和大尺寸晶圆的加工工艺兼容，由此，避免大尺寸晶圆代工厂代工表面声波滤波器件时重新购置设备的问题，从而降低成本。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种表面声波滤波器件及其制造方法。

背景技术

SAW(Surface Acoustic Wave，表面声波)滤波器件是目前主流的压电声波滤波器件之一，能够满足通讯终端使用的小尺寸滤波类器件的需求，且目前主流的SAW滤波器件的制备工艺是4英寸(inch)晶圆工艺，这是因为目前还没有成熟的8英寸压电材料的生长技术，而已有的6英寸压电材料生长技术存在片内加工均一性不佳的问题。

然而，为了进一步降低成本，目前MEMS(Micro-Electro-Mechanical System，微机电系统)晶圆代工正逐渐向8英寸晶圆更替。显然，SAW滤波器件与MEMS晶圆代工的晶圆尺寸始终存在一个鸿沟，SAW滤波器的制作和MEMS晶圆代工的工艺不兼容，因此，如果MEMS晶圆代工厂打算代工SAW滤波器件，则需要重新购置相关的设备，这就大大不利于设备的折旧与成本的降低。

发明内容

本发明的目的在于提供一种表面声波滤波器件及其制造方法，能够使得表面声波滤波器件的制作工艺和大尺寸晶圆的加工工艺兼容，降低成本。

为实现上述目的，本发明提供了一种表面声波滤波器件的制造方法，包括以下步骤：

提供压电晶圆和载体晶圆，所述压电晶圆的尺寸小于所述载体晶圆的尺寸；

将所述压电晶圆分割成多个压电晶粒，并将各个压电晶粒临时键合到所述载体晶圆上，且相邻所述压电晶粒之间的间隙作为切割道；

形成叉指型电极和第一焊盘于各个所述压电晶粒的顶面上；

提供尺寸不小于所述载体晶圆且具有多个第二焊盘的封装基板，将具有所述压电晶粒的载体晶圆装配到所述封装基板上，且各个所述第一焊盘和相应的所述第二焊盘对准并进行凸点键合；

将所述载体晶圆剥离，并沿各个所述切割道切割所述封装基板，以得到多个表面声波滤波器件。

可选地，通过包括涂覆键合胶水、贴键合膜和在所述载体晶圆上沉积激光释放层中的至少一种方式，将各个压电晶粒临时键合到所述载体晶圆上。

可选地，根据所述临时键合的方式来将所述载体晶圆剥离，所述剥离的方式包括热滑动剥离、机械剥离和激光剥离。

可选地，在将各个压电晶粒临时键合到所述载体晶圆上之后且在形成所述叉指型电极和所述第一焊盘于各个所述压电晶粒的顶面上之前，还形成绝缘层于所述载体晶圆上，所述绝缘层填满所述切割道并暴露出各个所述压电晶粒的顶面；所述叉指型电极和第一焊盘均暴露出所述切割道中的所述绝缘层的顶面。

可选地，在形成所述叉指型电极和所述第一焊盘于各个所述压电晶粒的顶面上之前和/或之后，还在所述压电晶粒的顶面上形成温度补偿层，所述温度补偿层至少填充在所述叉指型电极的缝隙中并暴露出各个所述第一焊盘的顶面。

可选地，所述温度补偿层的材料包括未掺杂或掺杂的氧化硅。

可选地，形成所述温度补偿层、所述叉指型电极和所述第一焊盘的步骤包括：

在形成所述叉指型电极和所述第一焊盘于各个所述压电晶粒的顶面上之前，覆盖第一温度补偿层于各个所述压电晶粒和所述绝缘层的表面上；

图形化所述第一温度补偿层，以形成叉指槽和焊盘槽于各个所述压电晶粒的顶面上；