[发明专利]表面声波滤波器件及其制造方法

权利要求书

1.一种表面声波滤波器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供压电晶圆和载体晶圆，所述压电晶圆的尺寸小于所述载体晶圆的尺寸；

将所述压电晶圆分割成多个压电晶粒，并将各个压电晶粒临时键合到所述载体晶圆上，且相邻所述压电晶粒之间的间隙作为切割道；

形成叉指型电极和第一焊盘于各个所述压电晶粒的顶面上；

提供尺寸不小于所述载体晶圆且具有多个第二焊盘的封装基板，将具有所述压电晶粒的载体晶圆装配到所述封装基板上，且各个所述第一焊盘和相应的所述第二焊盘对准并进行凸点键合；

将所述载体晶圆剥离，并沿各个所述切割道切割所述封装基板，以得到多个表面声波滤波器件。

2.如权利要求1所述的表面声波滤波器件的制造方法，其特征在于，通过包括涂覆键合胶水、贴键合膜和在所述载体晶圆上沉积激光释放层中的至少一种方式，将各个压电晶粒临时键合到所述载体晶圆上。

3.如权利要求2所述的表面声波滤波器件的制造方法，其特征在于，根据所述临时键合的方式来将所述载体晶圆剥离，所述剥离的方式包括热滑动剥离、机械剥离和激光剥离。

4.如权利要求1所述的表面声波滤波器件的制造方法，其特征在于，在将各个压电晶粒临时键合到所述载体晶圆上之后且在形成所述叉指型电极和所述第一焊盘于各个所述压电晶粒的顶面上之前，还形成绝缘层于所述载体晶圆上，所述绝缘层填满所述切割道并暴露出各个所述压电晶粒的顶面。

5.如权利要求1所述的表面声波滤波器件的制造方法，其特征在于，在形成所述叉指型电极和所述第一焊盘于各个所述压电晶粒的顶面上之前和/或之后，还在所述压电晶粒的顶面上形成温度补偿层，所述温度补偿层至少填充在所述叉指型电极的缝隙之间并暴露出各个所述第一焊盘的顶面。

6.如权利要求5所述的表面声波滤波器件的制造方法，其特征在于，所述温度补偿层的材料包括未掺杂或掺杂的氧化硅。

7.如权利要求5所述的表面声波滤波器件的制造方法，其特征在于，形成所述温度补偿层、所述叉指型电极和所述第一焊盘的步骤包括：

在形成所述叉指型电极和所述第一焊盘于各个所述压电晶粒的顶面上之前，覆盖第一温度补偿层于各个所述压电晶粒和所述切割道中的绝缘层的表面上；

图形化所述第一温度补偿层，以形成叉指槽和焊盘槽于各个所述压电晶粒的顶面上；

沉积金属层以填满所述叉指槽和焊盘槽，并平坦化所述金属层至所述第一温度补偿层的顶面，以形成所述叉指型电极和所述第一焊盘；

在所述第一温度补偿层、所述叉指型电极和所述第一焊盘的顶面上覆盖第二温度补偿层，并图案化所述第二温度补偿层，以暴露出所述第一焊盘的顶面，图案化后的所述第一温度补偿层和图案化后的所述第二温度补偿层构成所述温度补偿层。

8.如权利要求1所述的表面声波滤波器件的制造方法，其特征在于，所述压电晶圆的材料包括铌酸锂、钽酸锂、氮化铝、钛酸钡、钛酸铅、锆钛酸铅和氧化锌的至少一种。

9.如权利要求1所述的表面声波滤波器件的制造方法，其特征在于，在将具有所述压电晶粒的载体晶圆装配到所述封装基板上之前，先在所述第一焊盘或所述第二焊盘上植球，以在所述第一焊盘和所述第二焊盘对准后进行凸点键合。

10.一种表面声波滤波器件，其特征在于，采用权利要求1～9中任一项所述的表面声波滤波器件的制造方法制造；所述表面声波滤波器件包括封装在一起的封装基板和压电晶粒，所述压电晶粒位于所述封装基板上方；其中，所述封装基板上设有第二焊盘，所述压电晶粒面向所述封装基板的一面上设有叉指型电极和第一焊盘，所述第一焊盘和第二焊盘对准并键合在一起，所述压电晶粒和所述封装基板之间提供有用于声波谐振的空间。